新的UnitedSiC SiC FET凭借在开关效率和导通电阻方面的改进
发布时间:2023/1/29 1:03:37 访问次数:49
通用多区测距FlightSense™ 飞行时间传感器,为各种消费电子和工业产品带来精密的测距解决方案。
VL53L5CX传感器可为多目标检测应用提供多达64个测距区,每区最长测量距离达 4 米,还提供对角线视场角63°的宽广矩形视场。
新传感器采用意法半导体经过市场检验的直方图处理技术,大幅降低盖板串扰的影响,可以轻松集成并隐藏在各种面板后面。
新的运动指示创新功能还可让传感器检测目标是否移动过。
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: HSOF-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 80 V
Id-连续漏极电流: 169 A
Rds On-漏源导通电阻: 2.9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.2 V
Qg-栅极电荷: 87 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 167 W
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: Reel
配置: Single
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值: 75 S
下降时间: 13 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 12 ns
工厂包装数量: 2000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 42 ns
典型接通延迟时间: 20 ns
零件号别名: IPT029N08N5 SP001581494
单位重量: 771.020 mg
成熟的应用也可以从使用这种器件中受益——可以凭借其与Si MOSFET和IGBT栅极驱动器以及成熟的TO-247封装的向后兼容性来轻松提高效率。
UnitedSiC第4代SiC FET无疑是竞争技术中的性能领导者,并为宽禁带开关技术树立了新的标杆。
(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)
上海德懿电子科技有限公司 www.deyie.com
通用多区测距FlightSense™ 飞行时间传感器,为各种消费电子和工业产品带来精密的测距解决方案。
VL53L5CX传感器可为多目标检测应用提供多达64个测距区,每区最长测量距离达 4 米,还提供对角线视场角63°的宽广矩形视场。
新传感器采用意法半导体经过市场检验的直方图处理技术,大幅降低盖板串扰的影响,可以轻松集成并隐藏在各种面板后面。
新的运动指示创新功能还可让传感器检测目标是否移动过。
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: HSOF-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 80 V
Id-连续漏极电流: 169 A
Rds On-漏源导通电阻: 2.9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.2 V
Qg-栅极电荷: 87 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 167 W
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: Reel
配置: Single
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值: 75 S
下降时间: 13 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 12 ns
工厂包装数量: 2000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 42 ns
典型接通延迟时间: 20 ns
零件号别名: IPT029N08N5 SP001581494
单位重量: 771.020 mg
成熟的应用也可以从使用这种器件中受益——可以凭借其与Si MOSFET和IGBT栅极驱动器以及成熟的TO-247封装的向后兼容性来轻松提高效率。
UnitedSiC第4代SiC FET无疑是竞争技术中的性能领导者,并为宽禁带开关技术树立了新的标杆。
(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)
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