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新的UnitedSiC SiC FET凭借在开关效率和导通电阻方面的改进

发布时间:2023/1/29 1:03:37 访问次数:49

通用多区测距FlightSense™ 飞行时间传感器,为各种消费电子和工业产品带来精密的测距解决方案。

VL53L5CX传感器可为多目标检测应用提供多达64个测距区,每区最长测量距离达 4 米,还提供对角线视场角63°的宽广矩形视场。

新传感器采用意法半导体经过市场检验的直方图处理技术,大幅降低盖板串扰的影响,可以轻松集成并隐藏在各种面板后面。

新的运动指示创新功能还可让传感器检测目标是否移动过。

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: HSOF-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 80 V

Id-连续漏极电流: 169 A

Rds On-漏源导通电阻: 2.9 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.2 V

Qg-栅极电荷: 87 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 167 W

通道模式: Enhancement

封装: Cut Tape

封装: Reel

配置: Single

晶体管类型: 1 N-Channel

商标: Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值: 75 S

下降时间: 13 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 12 ns

工厂包装数量: 2000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 42 ns

典型接通延迟时间: 20 ns

零件号别名: IPT029N08N5 SP001581494

单位重量: 771.020 mg

新的UnitedSiC SiC FET凭借其在开关效率和导通电阻方面的最新改进,非常适合具有挑战性的新兴应用。其中包括电动汽车中的牵引驱动器以及车载和非车载充电器,以及可再生能源逆变器、功率因数校正、电信转换器以及所有AC/DC或DC/DC功率转换中单向和双向功率转换的所有阶段。

成熟的应用也可以从使用这种器件中受益——可以凭借其与Si MOSFET和IGBT栅极驱动器以及成熟的TO-247封装的向后兼容性来轻松提高效率。

UnitedSiC第4代SiC FET无疑是竞争技术中的性能领导者,并为宽禁带开关技术树立了新的标杆。

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

上海德懿电子科技有限公司  www.deyie.com



通用多区测距FlightSense™ 飞行时间传感器,为各种消费电子和工业产品带来精密的测距解决方案。

VL53L5CX传感器可为多目标检测应用提供多达64个测距区,每区最长测量距离达 4 米,还提供对角线视场角63°的宽广矩形视场。

新传感器采用意法半导体经过市场检验的直方图处理技术,大幅降低盖板串扰的影响,可以轻松集成并隐藏在各种面板后面。

新的运动指示创新功能还可让传感器检测目标是否移动过。

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: HSOF-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 80 V

Id-连续漏极电流: 169 A

Rds On-漏源导通电阻: 2.9 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.2 V

Qg-栅极电荷: 87 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 167 W

通道模式: Enhancement

封装: Cut Tape

封装: Reel

配置: Single

晶体管类型: 1 N-Channel

商标: Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值: 75 S

下降时间: 13 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 12 ns

工厂包装数量: 2000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 42 ns

典型接通延迟时间: 20 ns

零件号别名: IPT029N08N5 SP001581494

单位重量: 771.020 mg

新的UnitedSiC SiC FET凭借其在开关效率和导通电阻方面的最新改进,非常适合具有挑战性的新兴应用。其中包括电动汽车中的牵引驱动器以及车载和非车载充电器,以及可再生能源逆变器、功率因数校正、电信转换器以及所有AC/DC或DC/DC功率转换中单向和双向功率转换的所有阶段。

成熟的应用也可以从使用这种器件中受益——可以凭借其与Si MOSFET和IGBT栅极驱动器以及成熟的TO-247封装的向后兼容性来轻松提高效率。

UnitedSiC第4代SiC FET无疑是竞争技术中的性能领导者,并为宽禁带开关技术树立了新的标杆。

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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