新款4D成像雷达可以提供更多信息，提供近500个虚拟通道（与传统雷达的单通道完全不同）。

Vayyar的单芯片4D成像雷达预计将于2023年集成到汽车中，将在从驾驶舱监控系统、儿童存在检测到安全带提醒、侵入者警报等ADAS应用中发挥着越来越大的作用。

4D成像雷达与摄像头和激光雷达不同,表现在能够在雾,暴雨和夜间等任何条件下工作。

4D成像雷达的测量距离更远，满足了更高水平自动驾驶的需求。同时雷达还能捕捉多普勒频移，以检测物体是向车辆方向移动还是远离车辆。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-263-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 60 V

Id-连续漏极电流: 80 A

Rds On-漏源导通电阻: 3.9 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 16 V, + 16 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V

Qg-栅极电荷: 110 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 107 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Single

高度: 4.4 mm

长度: 10 mm

系列: OptiMOS-T2

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 9.25 mm

商标: Infineon Technologies

下降时间: 13 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 4 ns

工厂包装数量: 1000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 80 ns

典型接通延迟时间: 14 ns

零件号别名: IPB8N6S4L5XT SP000415570 IPB80N06S4L05ATMA1

单位重量: 4 g

Xilinx的Virtex-II系列平台FPGA提供当今可编逻辑解决方案所能得到的最高性能和容量,其系统性能比最相近的同类产品要高38%.

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(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）