高SXGA分辨率密度CIS芯片不同Samsung高质量的CIS芯片
发布时间:2021/10/3 16:24:49 访问次数:363
高效率、高可靠性的1700V碳化硅MOSFET裸片、分立器件和电源模块。
Microchip的1700V碳化硅技术是硅IGBT的替代产品。由于硅IGBT的损耗问题限制了开关频率，之前的技术要求设计人员在性能上做出妥协并使用复杂的拓扑结构。
此外，电力电子系统的尺寸和重量因变压器而变得臃肿，只有通过提高开关频率才能减小尺寸。
R-UIS测试还显示了出色的雪崩耐固性和参数稳定性，以及栅极氧化物的稳定性，实现了在系统使用寿命内的可靠运行。
制造商: Micron Technology
产品种类: eMMC
RoHS: 详细信息
系列: MTFC
存储容量: 8 Gbit
工作电源电压: 2.7 V to 3.6 V
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
封装: Reel
封装 / 箱体: TBGA-100
产品: eMMC Flash Drive
商标: Micron
安装风格: SMD/SMT
产品类型: eMMC
工厂包装数量: 1000
子类别: Memory & Data Storage
后者应用中，耦合电感器用于提供次级输出电压。此外，这些元件两个绕组之间的绝缘电压>500 V，可用作电源线中的共模扼流圈。
图像的质量主要由分辨率,光灵敏度和单个像素的噪音电平来决定.
和通常的取决于高SXGA分辨率密度的CIS芯片不同Samsung已开发出新的高质量的CIS芯片,它的性能和CCD的质量相同.这种新的CIS芯片的最低照明低于2 lux,比和EIA标准还低10-20分之一.
高效率、高可靠性的1700V碳化硅MOSFET裸片、分立器件和电源模块。
Microchip的1700V碳化硅技术是硅IGBT的替代产品。由于硅IGBT的损耗问题限制了开关频率，之前的技术要求设计人员在性能上做出妥协并使用复杂的拓扑结构。
此外，电力电子系统的尺寸和重量因变压器而变得臃肿，只有通过提高开关频率才能减小尺寸。
R-UIS测试还显示了出色的雪崩耐固性和参数稳定性，以及栅极氧化物的稳定性，实现了在系统使用寿命内的可靠运行。
制造商: Micron Technology
产品种类: eMMC
RoHS: 详细信息
系列: MTFC
存储容量: 8 Gbit
工作电源电压: 2.7 V to 3.6 V
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
封装: Reel
封装 / 箱体: TBGA-100
产品: eMMC Flash Drive
商标: Micron
安装风格: SMD/SMT
产品类型: eMMC
工厂包装数量: 1000
子类别: Memory & Data Storage
后者应用中，耦合电感器用于提供次级输出电压。此外，这些元件两个绕组之间的绝缘电压>500 V，可用作电源线中的共模扼流圈。
图像的质量主要由分辨率,光灵敏度和单个像素的噪音电平来决定.
和通常的取决于高SXGA分辨率密度的CIS芯片不同Samsung已开发出新的高质量的CIS芯片,它的性能和CCD的质量相同.这种新的CIS芯片的最低照明低于2 lux,比和EIA标准还低10-20分之一.
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