0.6um工艺采用独特的金属化技术和无键合装配技术
发布时间:2021/10/1 22:42:06 访问次数:213
STD150NH02L的漏源电压为24V,最大的漏极电流ID为150A.在这些额定值时,导通电阻RDS(on)为0.0035欧姆,而在10V时,RDS(on)为0.00309欧姆,5V时为0.0050欧姆.这些导通电阻能降低导通时的损耗.
该器件还有低的栅极电荷QG,这使开关损耗降低.此外,该器件还具有低的热阻,改善它的电流处理能力.
STD150NH120L是采用第三代ST的StripFET工艺制造,这种0.6um工艺采用独特的金属化技术和无键合装配技术,以从DPAK封装中得到良好的性能.这使该器件特别适用于大电流输出的高效率转换器.
产品种类: 开关稳压器
RoHS: 详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: QFN-26
拓扑结构: Buck
输出电压: 500 mV to 18.375 V
输出电流: 15 A
输出端数量: 1 Output
最大输入电压: 21 V
最小输入电压: 5.5 V
开关频率: 225 kHz to 1.65 MHz
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 125 C
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon / IR
湿度敏感性: Yes
产品类型: Switching Voltage Regulators
工厂包装数量: 4000
子类别: PMIC - Power Management ICs
零件号别名: IR38062MTRPBF SP001527818
单位重量: 408 mg
碳化硅肖特基势垒二极管非常适用于工业、能源生产和能源分配/存储的各种AC/DC和DC/DC电源转换器,包括:
工业开关模式电源
不间断电源
电池充电器
太阳能逆变器
工业电机驱动器
高速整流器
STD150NH02L的漏源电压为24V,最大的漏极电流ID为150A.在这些额定值时,导通电阻RDS(on)为0.0035欧姆,而在10V时,RDS(on)为0.00309欧姆,5V时为0.0050欧姆.这些导通电阻能降低导通时的损耗.
该器件还有低的栅极电荷QG,这使开关损耗降低.此外,该器件还具有低的热阻,改善它的电流处理能力.
STD150NH120L是采用第三代ST的StripFET工艺制造,这种0.6um工艺采用独特的金属化技术和无键合装配技术,以从DPAK封装中得到良好的性能.这使该器件特别适用于大电流输出的高效率转换器.
产品种类: 开关稳压器
RoHS: 详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: QFN-26
拓扑结构: Buck
输出电压: 500 mV to 18.375 V
输出电流: 15 A
输出端数量: 1 Output
最大输入电压: 21 V
最小输入电压: 5.5 V
开关频率: 225 kHz to 1.65 MHz
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 125 C
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon / IR
湿度敏感性: Yes
产品类型: Switching Voltage Regulators
工厂包装数量: 4000
子类别: PMIC - Power Management ICs
零件号别名: IR38062MTRPBF SP001527818
单位重量: 408 mg
碳化硅肖特基势垒二极管非常适用于工业、能源生产和能源分配/存储的各种AC/DC和DC/DC电源转换器,包括:
工业开关模式电源
不间断电源
电池充电器
太阳能逆变器
工业电机驱动器
高速整流器