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0.6um工艺采用独特的金属化技术和无键合装配技术

发布时间:2021/10/1 22:42:06 访问次数:213

STD150NH02L的漏源电压为24V,最大的漏极电流ID为150A.在这些额定值时,导通电阻RDS(on)为0.0035欧姆,而在10V时,RDS(on)为0.00309欧姆,5V时为0.0050欧姆.这些导通电阻能降低导通时的损耗.

该器件还有低的栅极电荷QG,这使开关损耗降低.此外,该器件还具有低的热阻,改善它的电流处理能力.

STD150NH120L是采用第三代ST的StripFET工艺制造,这种0.6um工艺采用独特的金属化技术和无键合装配技术,以从DPAK封装中得到良好的性能.这使该器件特别适用于大电流输出的高效率转换器.

制造商: Infineon

产品种类: 开关稳压器

RoHS: 详细信息

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: QFN-26

拓扑结构: Buck

输出电压: 500 mV to 18.375 V

输出电流: 15 A

输出端数量: 1 Output

最大输入电压: 21 V

最小输入电压: 5.5 V

开关频率: 225 kHz to 1.65 MHz

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 125 C

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: Infineon / IR

湿度敏感性: Yes

产品类型: Switching Voltage Regulators

工厂包装数量: 4000

子类别: PMIC - Power Management ICs

零件号别名: IR38062MTRPBF SP001527818

单位重量: 408 mg

碳化硅肖特基势垒二极管非常适用于工业、能源生产和能源分配/存储的各种AC/DC和DC/DC电源转换器,包括:

工业开关模式电源

不间断电源

电池充电器

太阳能逆变器

工业电机驱动器

高速整流器


(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

STD150NH02L的漏源电压为24V,最大的漏极电流ID为150A.在这些额定值时,导通电阻RDS(on)为0.0035欧姆,而在10V时,RDS(on)为0.00309欧姆,5V时为0.0050欧姆.这些导通电阻能降低导通时的损耗.

该器件还有低的栅极电荷QG,这使开关损耗降低.此外,该器件还具有低的热阻,改善它的电流处理能力.

STD150NH120L是采用第三代ST的StripFET工艺制造,这种0.6um工艺采用独特的金属化技术和无键合装配技术,以从DPAK封装中得到良好的性能.这使该器件特别适用于大电流输出的高效率转换器.

制造商: Infineon

产品种类: 开关稳压器

RoHS: 详细信息

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: QFN-26

拓扑结构: Buck

输出电压: 500 mV to 18.375 V

输出电流: 15 A

输出端数量: 1 Output

最大输入电压: 21 V

最小输入电压: 5.5 V

开关频率: 225 kHz to 1.65 MHz

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 125 C

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: Infineon / IR

湿度敏感性: Yes

产品类型: Switching Voltage Regulators

工厂包装数量: 4000

子类别: PMIC - Power Management ICs

零件号别名: IR38062MTRPBF SP001527818

单位重量: 408 mg

碳化硅肖特基势垒二极管非常适用于工业、能源生产和能源分配/存储的各种AC/DC和DC/DC电源转换器,包括:

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(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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