EPC2069 非常适合需要高功率密度的应用，包括48 V-54 V输入服务器。

较低的栅极电荷和零反向恢复损耗可实现1 MHz及更高频率的高频操作、高效并在10.6 mm2 的微小占位面积内，实现高功率密度。

EPC2069器件可支持48V/12V DC/DC解决方案，范围从 500 W 到 2 kW，效率超过98%。在初级侧和次级侧使用氮化镓（eGaN）器件可实现超过4000 W/in3 的最大功率密度。

这使得RX140 MCU能够在家电、工业和楼宇自动化（BA）等广泛应用中实现高性能和低功耗。

制造商:NXP 产品种类:ARM微控制器 - MCU RoHS: 详细信息 系列:K10_72 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:LQFP-144 核心:ARM Cortex M4 程序存储器大小:256 kB 数据总线宽度:32 bit 最大时钟频率:100 MHz 数据 RAM 大小:128 kB 工作电源电压:3.3 V 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 105 C 封装:Tray 模拟电源电压:3.3 V 商标:NXP Semiconductors I/O 电压:3.3 V 湿度敏感性:Yes 处理器系列:Kinetis K 产品类型:ARM Microcontrollers - MCU 工厂包装数量:300 子类别:Microcontrollers - MCU 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:1.71 V 商标名:Kinetis 零件号别名:935319788557 单位重量:1.319 g

EPC2069器件专为从40 V–60 V转至12 V的LLC DC/DC转换器的次级侧而设计，目前非常普遍用于48 V–54 V输入的服务器，以应对人工智能和游戏等高密度计算应用所需。

具有可程序编辑均衡器、线性摆幅和平坦增益功能，可补偿 PCB 较长布线造成的讯号损失。

EPC推出了40 V、1.6 mΩ的氮化镓场效应晶体管 （eGaN® FET），器件型号为EPC2069.

专为设计人员而设，EPC2069比目前市场上可选的器件更小、更高效、更可靠，适用于高性能且空间受限的应用。

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