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驱动器的输出灌电流/拉电流为5.5A/6A采用16引脚SO16封装

发布时间:2021/9/29 18:36:25 访问次数:272

STDRIVEG600的dV/dt为±200V/ns,确保栅极控制在恶劣电气环境中具有较高的可靠性。

逻辑输入兼容低至 3.3V 的 CMOS/TTL信号,方便连接主微控制器或 DSP处理器。高边电路耐受电压高达 600V,可用于高压总线高达 500V 的应用领域。

驱动器的输出灌电流/拉电流为5.5A/6A,并提供独立的导通和关断引脚,让设计人员可以选择适合的栅极控制方式。

此外,高低边电路都支持与功率开关源极相连的开尔文连接方法,以增强控制性能。

制造商: Texas Instruments

产品种类: 16位微控制器 - MCU

RoHS:  详细信息

系列: MSP430F1111A

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOIC-20

核心: MSP430

程序存储器大小: 2 kB

数据总线宽度: 16 bit

最大时钟频率: 8 MHz

输入/输出端数量: 14 I/O

数据 RAM 大小: 128 B

工作电源电压: 1.8 V to 3.6 V

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 85 C

封装: Reel

商标: Texas Instruments

数据 ROM 大小: 256 B

数据 Rom 类型: Flash

高度: 2.35 mm

接口类型: UART

长度: 12.8 mm

计时器/计数器数量: 1 Timer

处理器系列: 1 Series

产品类型: 16-bit Microcontrollers - MCU

程序存储器类型: Flash

工厂包装数量: 2000

子类别: Microcontrollers - MCU

商标名: MSP430

看门狗计时器: No Watchdog Timer

宽度: 7.52 mm

单位重量: 500.700 mg

驱动器有两款配套开发板,帮助设计人员快速启动新项目.

其中,EVSTDRIVEG600DG 板载一个 150mΩ 650V GaN HEMT晶体管,该晶体管采用 5mm x 6mm PowerFLAT 封装,带有Kelvin驱动源引脚.

EVSTDRIVEG600DM开发板配备一个STL33N60DM2 内置快速恢复二极管的MDmesh 115mΩ 600V硅基MOSFET功率开关,该晶体管采用带有Kelvin驱动源引脚的8mmx8mm PowerFLAT封装或者 DPAK 封装。

STDRIVEG600 驱动芯片已量产,采用 16 引脚 SO16 封装。

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

STDRIVEG600的dV/dt为±200V/ns,确保栅极控制在恶劣电气环境中具有较高的可靠性。

逻辑输入兼容低至 3.3V 的 CMOS/TTL信号,方便连接主微控制器或 DSP处理器。高边电路耐受电压高达 600V,可用于高压总线高达 500V 的应用领域。

驱动器的输出灌电流/拉电流为5.5A/6A,并提供独立的导通和关断引脚,让设计人员可以选择适合的栅极控制方式。

此外,高低边电路都支持与功率开关源极相连的开尔文连接方法,以增强控制性能。

制造商: Texas Instruments

产品种类: 16位微控制器 - MCU

RoHS:  详细信息

系列: MSP430F1111A

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOIC-20

核心: MSP430

程序存储器大小: 2 kB

数据总线宽度: 16 bit

最大时钟频率: 8 MHz

输入/输出端数量: 14 I/O

数据 RAM 大小: 128 B

工作电源电压: 1.8 V to 3.6 V

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 85 C

封装: Reel

商标: Texas Instruments

数据 ROM 大小: 256 B

数据 Rom 类型: Flash

高度: 2.35 mm

接口类型: UART

长度: 12.8 mm

计时器/计数器数量: 1 Timer

处理器系列: 1 Series

产品类型: 16-bit Microcontrollers - MCU

程序存储器类型: Flash

工厂包装数量: 2000

子类别: Microcontrollers - MCU

商标名: MSP430

看门狗计时器: No Watchdog Timer

宽度: 7.52 mm

单位重量: 500.700 mg

驱动器有两款配套开发板,帮助设计人员快速启动新项目.

其中,EVSTDRIVEG600DG 板载一个 150mΩ 650V GaN HEMT晶体管,该晶体管采用 5mm x 6mm PowerFLAT 封装,带有Kelvin驱动源引脚.

EVSTDRIVEG600DM开发板配备一个STL33N60DM2 内置快速恢复二极管的MDmesh 115mΩ 600V硅基MOSFET功率开关,该晶体管采用带有Kelvin驱动源引脚的8mmx8mm PowerFLAT封装或者 DPAK 封装。

STDRIVEG600 驱动芯片已量产,采用 16 引脚 SO16 封装。

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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