人工智能支持和高功率的MCU和融合处理器充电缓慢的问题
发布时间:2021/9/28 12:31:51 访问次数:247
这两个系列满足了对可扩展设备的需求,这些设备集成了AI/ML加速、多层安全、LTE Cat-M1和NB-IoT连接,以及GNSS定位。这些部件还集成了足够的内存,以支持当今的物联网产品的设计,无论处理需要在本地还是在云端进行。
处理器具有下一代智能城市、互联基础设施、资产跟踪、医疗保健设备和可穿戴设备所需的功能集。
制造商:Vishay 产品种类:ESD 抑制器/TVS 二极管 RoHS: 详细信息 产品类型:TVS Diodes 极性:Bidirectional 工作电压:30.8 V 通道数量:1 Channel 端接类型:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA-2 击穿电压:36 V 钳位电压:49.9 V 峰值脉冲功耗 (Pppm):600 W Vesd - 静电放电电压触点:- Ipp - 峰值脉冲电流:12 A 最小工作温度:- 65 C 最大工作温度:+ 150 C 系列:P6SMB 封装:Reel 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 商标:Vishay General Semiconductor 工厂包装数量:750 子类别:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes 商标名:TransZorb 单位重量:93 mg
固态电池低温充电技术。固态电池指的是锂电池的负极采用金属锂,取代含有锂离子的电解液、聚合物材质。这项技术能够显著提高电池的能量密度,但是有着制造难度大、充电不易等缺陷。
具体来看,这项技术去除了锂电池负极的导电材料和粘合剂,使用直径约为 5 微米的硅颗粒进行替代,以克服常温下充电缓慢的问题。
在经过 500 次循环之后,这种原型电池剩余容量依旧高于 80%,同时这种固态电池的能量密度比现有产品高 40% 以上。
这两个系列满足了对可扩展设备的需求,这些设备集成了AI/ML加速、多层安全、LTE Cat-M1和NB-IoT连接,以及GNSS定位。这些部件还集成了足够的内存,以支持当今的物联网产品的设计,无论处理需要在本地还是在云端进行。
处理器具有下一代智能城市、互联基础设施、资产跟踪、医疗保健设备和可穿戴设备所需的功能集。
制造商:Vishay 产品种类:ESD 抑制器/TVS 二极管 RoHS: 详细信息 产品类型:TVS Diodes 极性:Bidirectional 工作电压:30.8 V 通道数量:1 Channel 端接类型:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA-2 击穿电压:36 V 钳位电压:49.9 V 峰值脉冲功耗 (Pppm):600 W Vesd - 静电放电电压触点:- Ipp - 峰值脉冲电流:12 A 最小工作温度:- 65 C 最大工作温度:+ 150 C 系列:P6SMB 封装:Reel 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 商标:Vishay General Semiconductor 工厂包装数量:750 子类别:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes 商标名:TransZorb 单位重量:93 mg
固态电池低温充电技术。固态电池指的是锂电池的负极采用金属锂,取代含有锂离子的电解液、聚合物材质。这项技术能够显著提高电池的能量密度,但是有着制造难度大、充电不易等缺陷。
具体来看,这项技术去除了锂电池负极的导电材料和粘合剂,使用直径约为 5 微米的硅颗粒进行替代,以克服常温下充电缓慢的问题。
在经过 500 次循环之后,这种原型电池剩余容量依旧高于 80%,同时这种固态电池的能量密度比现有产品高 40% 以上。