通过与Bridgetek的合作，我们已经能够开发出一个能够设定新基准的显示系列。

高集成度的EVE解决方案意味着更快的反应时间和更高的分辨率水平，同时节省宝贵的PCB空间和拥有更低的功耗，因此，我们决定采用一种平台的方法，并将其应用于整个家族产品系列，从较小的单元到最大的格式。

人们在与消费类产品互动时所熟悉的用户体验也提高了其他领域对HMI的期望。更高分辨率的显示器和更快的响应速度现在被广泛应用于不同的领域。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 80 A

Rds On-漏源导通电阻: 2.3 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 16 V, + 16 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V

Qg-栅极电荷: 140 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 136 W

通道模式: Enhancement

资格: AEC-Q101

商标名: OptiMOS

封装: Tube

商标: Infineon Technologies

配置: Single

下降时间: 13 ns

高度: 15.65 mm

长度: 10 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 9 ns

系列: OptiMOS-T2

工厂包装数量: 50

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 62 ns

典型接通延迟时间: 14 ns

宽度: 4.4 mm

零件号别名: SP000275328 IPP8N3S4L3XK IPP80N03S4L03AKSA1

单位重量: 2 g

东芝将继续强化eFuse IC产品线，以保护多种用途的电源线。

应用：

电源线的电路保护

（笔记本电脑、游戏控制器、增强现实和虚拟现实设备、智能音箱、扫地机器人、网络服务器等）

特性：

关断状态下的反向阻断电流功能

用户定义的可调节过流／过压保护功能

FLAG信号输出功能

纤薄紧凑的WSON10封装：3.00mm×3.00mm（典型值），厚度＝0.75mm（最大值）

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）