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40V和60V耐压单极型实现单位面积低导通电阻

发布时间:2021/9/23 21:21:25 访问次数:137

FA和机器人等工业设备以及空调等消费电子产品的共计24款Pch MOSFET*1/*2产品,其中包括支持24V输入电压的-40V和-60V耐压单极型“RQxxxxxAT / RDxxxxxAT / RSxxxxxAT / RFxxxxxAT系列”和双极型“UTxxx5 / QHxxx5 / SHxxx5系列”。

本系列产品作为ROHM拥有丰硕市场业绩的Pch MOSFET产品,采用了第五代新微米工艺,实现了业界超低的单位面积导通电阻*3。-40V耐压产品的导通电阻较以往产品降低62%、-60V耐压产的导通电阻较以往产品降低52%,有助于实现设备的节能性和小型化。

制造商: Renesas Electronics

产品种类: 开关稳压器

RoHS: 详细信息

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: MSOP-8

拓扑结构: Boost

输出电压: 5 V to 25 V

输出电流: 2 A

输出端数量: 1 Output

最大输入电压: 5.5 V

最小输入电压: 2.3 V

开关频率: 740 kHz to 1.5 MHz

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 85 C

系列: ISL97516

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: Renesas / Intersil

高度: 0 mm

长度: 3 mm

负载调节: 0.3 %

湿度敏感性: Yes

产品类型: Switching Voltage Regulators

工厂包装数量: 1000

子类别: PMIC - Power Management ICs

类型: Step Up

宽度: 3 mm

单位重量: 25 mg

雷达收发器具有可扩展性,以及具有从转角雷达到入口雷达再到成像雷达的灵活性,可以缩放入口端的各种范围。此外,我们还可以扩展天线的种类。

使用雷达传感器,精度会随着天线的种类而增加。使用成像雷达,我们可以从12个数字天线扩展到192个数字天线。

新产品采用ROHM第五代微米工艺技术,使栅极沟槽结构*4较ROHM以往产品更为细致精密,并提高了电流密度,从而在支持24V输入的-40V/-60V耐压Pch MOSFET领域中,实现了极为出色的单位面积低导通电阻。


(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

FA和机器人等工业设备以及空调等消费电子产品的共计24款Pch MOSFET*1/*2产品,其中包括支持24V输入电压的-40V和-60V耐压单极型“RQxxxxxAT / RDxxxxxAT / RSxxxxxAT / RFxxxxxAT系列”和双极型“UTxxx5 / QHxxx5 / SHxxx5系列”。

本系列产品作为ROHM拥有丰硕市场业绩的Pch MOSFET产品,采用了第五代新微米工艺,实现了业界超低的单位面积导通电阻*3。-40V耐压产品的导通电阻较以往产品降低62%、-60V耐压产的导通电阻较以往产品降低52%,有助于实现设备的节能性和小型化。

制造商: Renesas Electronics

产品种类: 开关稳压器

RoHS: 详细信息

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: MSOP-8

拓扑结构: Boost

输出电压: 5 V to 25 V

输出电流: 2 A

输出端数量: 1 Output

最大输入电压: 5.5 V

最小输入电压: 2.3 V

开关频率: 740 kHz to 1.5 MHz

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 85 C

系列: ISL97516

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: Renesas / Intersil

高度: 0 mm

长度: 3 mm

负载调节: 0.3 %

湿度敏感性: Yes

产品类型: Switching Voltage Regulators

工厂包装数量: 1000

子类别: PMIC - Power Management ICs

类型: Step Up

宽度: 3 mm

单位重量: 25 mg

雷达收发器具有可扩展性,以及具有从转角雷达到入口雷达再到成像雷达的灵活性,可以缩放入口端的各种范围。此外,我们还可以扩展天线的种类。

使用雷达传感器,精度会随着天线的种类而增加。使用成像雷达,我们可以从12个数字天线扩展到192个数字天线。

新产品采用ROHM第五代微米工艺技术,使栅极沟槽结构*4较ROHM以往产品更为细致精密,并提高了电流密度,从而在支持24V输入的-40V/-60V耐压Pch MOSFET领域中,实现了极为出色的单位面积低导通电阻。


(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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