由于抗干扰性能非常出色，有助于解决系统开发过程中的噪声干扰问题，因而可减少设计工时并提高系统的可靠性。

“ROHM Real Model*4”是一种高精度的SPICE模型，通过该模型得到的电气特性和温度特性仿真值与实际IC的值完全一致，以防止实际试制后的返工，客户可在ROHM官网上进行验证。

今后，ROHM将会继续扩大新产品阵容，并且还会将高抗干扰技术应用到电源IC等产品中，为进一步减少各种应用的设计工时和提高应用的可靠性贡献力量。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 55 V

Id-连续漏极电流: 80 A

Rds On-漏源导通电阻: 6.6 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V

Qg-栅极电荷: 110 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 250 W

通道模式: Enhancement

资格: AEC-Q101

封装: Tube

商标: Infineon Technologies

配置: Single

高度: 15.65 mm

长度: 10 mm

产品类型: MOSFET

工厂包装数量: 50

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 4.4 mm

零件号别名: IPP80N06S2-07 SP001067876

单位重量: 2 g

消除低压尖峰毛刺的影响：即使输入电压低于0.6V，也能够保证稳定的、无扰动的上电复位输出，从而避免系统故障。

nanoPower：耗流仅为825nA。最小尺寸：比最接近的竞争产品减小23%。

工作电压低于1V的IC在节能产品、IoT产品急速增长的今天发挥着重大作用，但如果设计不当，则会带来不可接受的可靠性风险。

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