浮动时的欠压条件和低压电路是单独管理的标称中心频率
发布时间:2021/9/13 8:45:46 访问次数:148
在多相位系统,IR2114/IR2214驱动器采用专用的本地网络(SY_FLT 和FAULT/SD信号)来适当地管理相位到相位的短路.
为了改善DC总线噪音的信号免疫力,控制和电源地采用专用引脚,使得低边发射极电流检测也一样好.
浮动时的欠压条件和低压电路是单独管理的.浮动通路高达600V或1200V,过流时软关断,集成了去饱和检测电路,两级的开输出用来di/dt控制,单独的上拉/下拉输出驱动引脚,匹配的延迟输出,具有滞后带的欠压锁住和无铅产品.
规范
功率容量：3W
标称中心频率：5370MHz
带宽 (BW)：±470MHz
BW I插入损耗：0.55dB（最大值，+25°C时）
BW II插入损耗：0.65dB（最大值，-40°C至+85°C）
衰减（绝对值）：14dB（最小值，2400MHz至2500MHz）
VSWR：1.6（最大值）
工作温度范围：-40°C至+85°C
占位面积为0.65mm x 0.50mm，最大厚度为0.3mm
在多相位系统,IR2114/IR2214驱动器采用专用的本地网络(SY_FLT 和FAULT/SD信号)来适当地管理相位到相位的短路.
为了改善DC总线噪音的信号免疫力,控制和电源地采用专用引脚,使得低边发射极电流检测也一样好.
浮动时的欠压条件和低压电路是单独管理的.浮动通路高达600V或1200V,过流时软关断,集成了去饱和检测电路,两级的开输出用来di/dt控制,单独的上拉/下拉输出驱动引脚,匹配的延迟输出,具有滞后带的欠压锁住和无铅产品.
规范
功率容量：3W
标称中心频率：5370MHz
带宽 (BW)：±470MHz
BW I插入损耗：0.55dB（最大值，+25°C时）
BW II插入损耗：0.65dB（最大值，-40°C至+85°C）
衰减（绝对值）：14dB（最小值，2400MHz至2500MHz）
VSWR：1.6（最大值）
工作温度范围：-40°C至+85°C
占位面积为0.65mm x 0.50mm，最大厚度为0.3mm
相关技术资料- 5-23TLC（Triple Level Cell）4D NAND闪存应用
- 5-23视频生成模型Veo 3+ Flow应用参数设计
- 5-23扩散语言模型Gemini Diffusion解读
- 5-23氮化炮（GAN）智能功率模块（IPMS）探究
- 5-23集成照片传感器和被动过滤器系列详解
- 5-2318输出网络同步器与JESD204B/C产品详情
- 5-22双核 STM32H747 MCU芯片应用探究
- 5-22第七代酷睿处理器系列新技术介绍
- 5-22新一代骁龙 8 旗舰处理器应用详解
- 5-22数据中心芯片AI 100际应用场景分析
- 5-22首款Arm架构服务器芯片Centriq 2400
- 5-2212英寸碳化硅衬底激光剥离自动化解决方案
公网安备44030402000607
