位置:51电子网 » 技术资料 » EDA/PLD

P型半导体端P沟道MOS场效应管和N沟道MOS场效应管

发布时间:2021/8/31 18:28:47 访问次数:200

在二极管加上正向电压(P端接正极,N端接负极)时,二极管导通,其PN结有电流通过。

这是因为在P型半导体端为正电压时,N型半导体内的负电子被吸引而涌向加有正电压的P型半导体端,而P型半导体端内的正电子则朝N型半导体端运动,从而形成导通电流。

当二极管加上反向电压(P端接负极,N端接正极)时,这时在P型半导体端为负电压,正电子被聚集在P型半导体端,负电子则聚集在N型半导体端,电子不移动,其PN结没有电流通过,二极管截止。

在栅极没有电压时,由前面分析可知,在源极与漏极之间不会有电流流过,此时场效应管处与截止状态

制造商:Analog Devices Inc. 产品种类:参考电压 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SO-8 参考类型:Series Precision References 输出电压:5 V 初始准确度:0.125 % 温度系数:20 PPM/C 串联VREF—输入电压—最大值:20 V 分流电流—最大值:40 mA 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 系列: 封装:Tube 高度:1.75 mm 商标:Analog Devices 关闭:No Shutdown 电源电流—最大值:225 uA 最大输出电压:5.00625 V 工作电源电流:125 uA 产品类型:Voltage References 100 子类别:PMIC - Power Management ICs 单位重量:579.692 mg

FEM采用3mm×3mm的微型尺寸,可显著缩小在物联网 (IoT) 客户端设备、无线路由器、用户终端设备和接入点等Wi-Fi 6(802.11ax)应用中的占位空间。

在该电路中,P沟道MOS场效应管和N沟道MOS场效应管总是在相反的状态下工作,其相位输入端和输出端相反。

Qorvo QPF4526 FEM集成了一个5GHz功率放大器、一个单刀双掷 (SPDT) 开关和一个带旁路功能的低噪声放大器。

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

在二极管加上正向电压(P端接正极,N端接负极)时,二极管导通,其PN结有电流通过。

这是因为在P型半导体端为正电压时,N型半导体内的负电子被吸引而涌向加有正电压的P型半导体端,而P型半导体端内的正电子则朝N型半导体端运动,从而形成导通电流。

当二极管加上反向电压(P端接负极,N端接正极)时,这时在P型半导体端为负电压,正电子被聚集在P型半导体端,负电子则聚集在N型半导体端,电子不移动,其PN结没有电流通过,二极管截止。

在栅极没有电压时,由前面分析可知,在源极与漏极之间不会有电流流过,此时场效应管处与截止状态

制造商:Analog Devices Inc. 产品种类:参考电压 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SO-8 参考类型:Series Precision References 输出电压:5 V 初始准确度:0.125 % 温度系数:20 PPM/C 串联VREF—输入电压—最大值:20 V 分流电流—最大值:40 mA 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 系列: 封装:Tube 高度:1.75 mm 商标:Analog Devices 关闭:No Shutdown 电源电流—最大值:225 uA 最大输出电压:5.00625 V 工作电源电流:125 uA 产品类型:Voltage References 100 子类别:PMIC - Power Management ICs 单位重量:579.692 mg

FEM采用3mm×3mm的微型尺寸,可显著缩小在物联网 (IoT) 客户端设备、无线路由器、用户终端设备和接入点等Wi-Fi 6(802.11ax)应用中的占位空间。

在该电路中,P沟道MOS场效应管和N沟道MOS场效应管总是在相反的状态下工作,其相位输入端和输出端相反。

Qorvo QPF4526 FEM集成了一个5GHz功率放大器、一个单刀双掷 (SPDT) 开关和一个带旁路功能的低噪声放大器。

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

热门点击

 

推荐技术资料

声道前级设计特点
    与通常的Hi-Fi前级不同,EP9307-CRZ这台分... [详细]
版权所有:51dzw.COM
深圳服务热线:13692101218  13751165337
粤ICP备09112631号-6(miitbeian.gov.cn)
公网安备44030402000607
深圳市碧威特网络技术有限公司
付款方式


 复制成功!