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在20KHz时的最佳效率相比N位输入数据字以速率fc接收

发布时间:2021/8/28 13:20:26 访问次数:525

在奈奎斯特频率fc/2,重构信号幅度降低3.92 dB。如果需要,可以使用一个反sin(x)/x滤波器来补偿此效应。基波信号的镜像作为采样函数的结果出现,并且也通过sin(x)/x函数衰减。

过采样/插值DAC的基本原理。N位输入数据字以速率fc接收。数字插值滤波器以等于过采样频率Kfc的时钟速率工作,并插入额外的数据点。

在奈奎斯特采样频率下,对模拟抗镜像滤波器的要求可能相当高。通过过采样和插值,可以大大降低对该滤波器的要求

制造商:Analog Devices Inc. 产品种类:RS-422/RS-485 接口 IC 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SO-8 系列: 功能:Transceiver 数据速率:250 kb/s 激励器数量:1 Driver 接收机数量:1 Receiver 电源电压-最小:4.75 V 电源电压-最大:5.25 V 工作电源电压:5 V 工作电源电流:5.5 mA 最小工作温度:0 C 最大工作温度:+ 70 C 封装:Tube 高度:1.75 mm 输入电压:5 V 输出电流:250 mA 输出类型:3-State 产品:RS-422/RS-485 Transceivers 类型:Transceiver 商标:Analog Devices 关闭:Shutdown 双工:Half Duplex ESD 保护:15 kV 产品类型:RS-422/RS-485 Interface IC 支持协议:RS-422, RS-485 100 子类别:Interface ICs 单位重量:600 mg

在CREE进行的评估中,比较了第二代1200V/20A SiC MOSFET与使用10 KW硬开关交错式Boost DC / DC转换器的硅高速1200 V / 40 A H3 IGBT。

开关频率是原来的五倍,SiC解决方案在100KHz时仍可实现99.3%的最大效率,与IGBT解决方案在20 KHz时的最佳效率相比,损耗降低了18%。

CREE最近发布的C2M MOSFET系列为工程师提供了广泛的,价格具有竞争力的1200 V和1700 V SiC MOSFET,适用于各种应用。

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

在奈奎斯特频率fc/2,重构信号幅度降低3.92 dB。如果需要,可以使用一个反sin(x)/x滤波器来补偿此效应。基波信号的镜像作为采样函数的结果出现,并且也通过sin(x)/x函数衰减。

过采样/插值DAC的基本原理。N位输入数据字以速率fc接收。数字插值滤波器以等于过采样频率Kfc的时钟速率工作,并插入额外的数据点。

在奈奎斯特采样频率下,对模拟抗镜像滤波器的要求可能相当高。通过过采样和插值,可以大大降低对该滤波器的要求

制造商:Analog Devices Inc. 产品种类:RS-422/RS-485 接口 IC 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SO-8 系列: 功能:Transceiver 数据速率:250 kb/s 激励器数量:1 Driver 接收机数量:1 Receiver 电源电压-最小:4.75 V 电源电压-最大:5.25 V 工作电源电压:5 V 工作电源电流:5.5 mA 最小工作温度:0 C 最大工作温度:+ 70 C 封装:Tube 高度:1.75 mm 输入电压:5 V 输出电流:250 mA 输出类型:3-State 产品:RS-422/RS-485 Transceivers 类型:Transceiver 商标:Analog Devices 关闭:Shutdown 双工:Half Duplex ESD 保护:15 kV 产品类型:RS-422/RS-485 Interface IC 支持协议:RS-422, RS-485 100 子类别:Interface ICs 单位重量:600 mg

在CREE进行的评估中,比较了第二代1200V/20A SiC MOSFET与使用10 KW硬开关交错式Boost DC / DC转换器的硅高速1200 V / 40 A H3 IGBT。

开关频率是原来的五倍,SiC解决方案在100KHz时仍可实现99.3%的最大效率,与IGBT解决方案在20 KHz时的最佳效率相比,损耗降低了18%。

CREE最近发布的C2M MOSFET系列为工程师提供了广泛的,价格具有竞争力的1200 V和1700 V SiC MOSFET,适用于各种应用。

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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