5W和20W的开关电源控制IC的200V氮化镓场效应晶体管
发布时间:2021/8/21 18:19:29 访问次数:525
5W和20W的开关电源控制IC后,为满足客户对更多功率段的需求,金升阳推出内置高压MOS管和高压启动的AC/DC电源控制芯片——SCM1738ASA。
SCM1738ASA是一款内置高压MOS 管功率开关的原边控制开关电源(PSR),采用PFM 调频技术,提供精确的恒压/恒流(CV/CC)控制环路,稳定性和平均效率非常高。
由于集成高压启动,可以省去外围的启动电阻,实现低损耗可靠启动。同时,该芯片具有可调节线性补偿功能和内置峰值电流补偿功能,输出功率最大可达8W。
制造商: Texas Instruments
产品种类: RS-232接口集成电路
RoHS: 详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SSOP-20
系列: MAX3222E
功能: Transceiver
数据速率: 500 kb/s
激励器数量: 2 Driver
接收机数量: 2 Receiver
双工: Full Duplex
电源电压-最大: 5.5 V
电源电压-最小: 3 V
工作电源电流: 1 mA
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
封装: Tube
高度: 1.95 mm
长度: 7.2 mm
产品: RS-232 Transceivers
电源类型: Single Supply
宽度: 5.3 mm
商标: Texas Instruments
关闭: With Shutdown
工作电源电压: 3.3 V, 5 V
产品类型: RS-232 Interface IC
传播延迟时间: 0.3 us
工厂包装数量: 70
子类别: Interface ICs
单位重量: 156.700 mg

氮化镓器件必然可替代逐渐老化的功率MOSFET器件的趋势日益明显。
400 V、2.5 kW、基于eGaN FET、四电平飞跨电容(FCML)图腾柱无桥整流器,适用于数据中心,它使用了最新的200 V 氮化镓场效应晶体管(EPC2215)。
氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)优越特性使得转换器能够实现高功率密度、超高效率和低谐波失真。
(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)
5W和20W的开关电源控制IC后,为满足客户对更多功率段的需求,金升阳推出内置高压MOS管和高压启动的AC/DC电源控制芯片——SCM1738ASA。
SCM1738ASA是一款内置高压MOS 管功率开关的原边控制开关电源(PSR),采用PFM 调频技术,提供精确的恒压/恒流(CV/CC)控制环路,稳定性和平均效率非常高。
由于集成高压启动,可以省去外围的启动电阻,实现低损耗可靠启动。同时,该芯片具有可调节线性补偿功能和内置峰值电流补偿功能,输出功率最大可达8W。
制造商: Texas Instruments
产品种类: RS-232接口集成电路
RoHS: 详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SSOP-20
系列: MAX3222E
功能: Transceiver
数据速率: 500 kb/s
激励器数量: 2 Driver
接收机数量: 2 Receiver
双工: Full Duplex
电源电压-最大: 5.5 V
电源电压-最小: 3 V
工作电源电流: 1 mA
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
封装: Tube
高度: 1.95 mm
长度: 7.2 mm
产品: RS-232 Transceivers
电源类型: Single Supply
宽度: 5.3 mm
商标: Texas Instruments
关闭: With Shutdown
工作电源电压: 3.3 V, 5 V
产品类型: RS-232 Interface IC
传播延迟时间: 0.3 us
工厂包装数量: 70
子类别: Interface ICs
单位重量: 156.700 mg

氮化镓器件必然可替代逐渐老化的功率MOSFET器件的趋势日益明显。
400 V、2.5 kW、基于eGaN FET、四电平飞跨电容(FCML)图腾柱无桥整流器,适用于数据中心,它使用了最新的200 V 氮化镓场效应晶体管(EPC2215)。
氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)优越特性使得转换器能够实现高功率密度、超高效率和低谐波失真。
(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)