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5W和20W的开关电源控制IC的200V氮化镓场效应晶体管

发布时间:2021/8/21 18:19:29 访问次数:525

5W和20W的开关电源控制IC后,为满足客户对更多功率段的需求,金升阳推出内置高压MOS管和高压启动的AC/DC电源控制芯片——SCM1738ASA。

SCM1738ASA是一款内置高压MOS 管功率开关的原边控制开关电源(PSR),采用PFM 调频技术,提供精确的恒压/恒流(CV/CC)控制环路,稳定性和平均效率非常高。

由于集成高压启动,可以省去外围的启动电阻,实现低损耗可靠启动。同时,该芯片具有可调节线性补偿功能和内置峰值电流补偿功能,输出功率最大可达8W。

制造商:    Texas Instruments    

产品种类:    RS-232接口集成电路    

RoHS:    详细信息    

安装风格:    SMD/SMT    

封装 / 箱体:    SSOP-20    

系列:    MAX3222E    

功能:    Transceiver    

数据速率:    500 kb/s    

激励器数量:    2 Driver    

接收机数量:    2 Receiver    

双工:    Full Duplex    

电源电压-最大:    5.5 V    

电源电压-最小:    3 V    

工作电源电流:    1 mA    

最小工作温度:    - 40 C    

最大工作温度:    + 85 C    

封装:    Tube    

高度:   1.95 mm    

长度:   7.2 mm    

产品:   RS-232 Transceivers    

电源类型:   Single Supply    

宽度:   5.3 mm    

商标:   Texas Instruments    

关闭:   With Shutdown    

工作电源电压:   3.3 V, 5 V    

产品类型:   RS-232 Interface IC    

传播延迟时间:   0.3 us    

工厂包装数量:   70    

子类别:   Interface ICs    

单位重量:  156.700 mg  

最新一代的eGaN FET在具备更高效散热的更小型尺寸内,实现更高的性能,而且其成本与传统MOSFET器件相若。

氮化镓器件必然可替代逐渐老化的功率MOSFET器件的趋势日益明显。

400 V、2.5 kW、基于eGaN FET、四电平飞跨电容(FCML)图腾柱无桥整流器,适用于数据中心,它使用了最新的200 V 氮化镓场效应晶体管(EPC2215)。

氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)优越特性使得转换器能够实现高功率密度、超高效率和低谐波失真。

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

5W和20W的开关电源控制IC后,为满足客户对更多功率段的需求,金升阳推出内置高压MOS管和高压启动的AC/DC电源控制芯片——SCM1738ASA。

SCM1738ASA是一款内置高压MOS 管功率开关的原边控制开关电源(PSR),采用PFM 调频技术,提供精确的恒压/恒流(CV/CC)控制环路,稳定性和平均效率非常高。

由于集成高压启动,可以省去外围的启动电阻,实现低损耗可靠启动。同时,该芯片具有可调节线性补偿功能和内置峰值电流补偿功能,输出功率最大可达8W。

制造商:    Texas Instruments    

产品种类:    RS-232接口集成电路    

RoHS:    详细信息    

安装风格:    SMD/SMT    

封装 / 箱体:    SSOP-20    

系列:    MAX3222E    

功能:    Transceiver    

数据速率:    500 kb/s    

激励器数量:    2 Driver    

接收机数量:    2 Receiver    

双工:    Full Duplex    

电源电压-最大:    5.5 V    

电源电压-最小:    3 V    

工作电源电流:    1 mA    

最小工作温度:    - 40 C    

最大工作温度:    + 85 C    

封装:    Tube    

高度:   1.95 mm    

长度:   7.2 mm    

产品:   RS-232 Transceivers    

电源类型:   Single Supply    

宽度:   5.3 mm    

商标:   Texas Instruments    

关闭:   With Shutdown    

工作电源电压:   3.3 V, 5 V    

产品类型:   RS-232 Interface IC    

传播延迟时间:   0.3 us    

工厂包装数量:   70    

子类别:   Interface ICs    

单位重量:  156.700 mg  

最新一代的eGaN FET在具备更高效散热的更小型尺寸内,实现更高的性能,而且其成本与传统MOSFET器件相若。

氮化镓器件必然可替代逐渐老化的功率MOSFET器件的趋势日益明显。

400 V、2.5 kW、基于eGaN FET、四电平飞跨电容(FCML)图腾柱无桥整流器,适用于数据中心,它使用了最新的200 V 氮化镓场效应晶体管(EPC2215)。

氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)优越特性使得转换器能够实现高功率密度、超高效率和低谐波失真。

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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