Inde-Flux技术的Würth Elektronik eiSos变压器与我们的MCP1012 AC-DC控制器和SAM D20系列32位单片机相结合，为离线电源管理创造了一个独特的解决方案。

这些器件能够更简单、更可靠地实现主元件和辅助元件之间的复杂双向通信，这些元件用于许多利用离线电源的隔离应用中。

当解决方案用于具有次级侧单片机的系统时，客户可节省高达60%的偏置电源面积，并将偏置电源物料清单成本降低3美元以上。

制造商:Littelfuse 产品种类:ESD 抑制器/TVS 二极管 产品类型:TVS Diodes 极性:Bidirectional 工作电压:40 V 通道数量:1 Channel 端接类型:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC-2 击穿电压:44.4 V 钳位电压:64.5 V 峰值脉冲功耗 (Pppm):400 W Vesd - 静电放电电压触点:30 kV Vesd - 静电放电电压气隙:30 kV Ipp - 峰值脉冲电流:6.2 A 最小工作温度:- 65 C 最大工作温度:+ 150 C 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 商标:Littelfuse Pd-功率耗散:3.3 W 工厂包装数量5000 子类别:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes Vf - 正向电压:3.5 V 单位重量:61 mg

这些650 V GaN HEMT是市面上电压最高的GaN功率器件，用于要求严格的高可靠性军事、航空电子和太空应用，是诸如电源、电机控制和半桥拓扑等应用的理想之选。

这些器件配有底部冷却装置，采用超低FOM Island Technology®芯片和低电感GaNPX®封装，提供大于100 Mhz的超高频率开关、快速且可控制的下降和上升时间、反向电流能力等等。

最高可靠性的航空等应用打造650 V系列高功率GaN HEMT。我们相信，这些新器件更小的封装将使从事最高功率密度项目设计的客户真正受益。

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）