四款兼具出色的降噪和低损耗特性的600V耐压IGBT IPM*1（Intelligent Power Module）“BM6437x系列”，该系列产品可内置于空调、洗衣机等白色家电和小型工业设备（如工业用机器人用的小容量电机等）中，且非常适用于各种变频器的功率转换。

近年来，随着物联网的普及，白色家电和工业设备的自动化进程加速，使得产品的功耗不断增加，为了有效利用有限的地球资源和电力，对进一步降低功耗的需求不断提高，与此同时，对于负责功率转换工作的功率半导体之一IGBT以及配备了IGBT的模块，也提出了进一步降低功耗的要求。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-263-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 55 V

Id-连续漏极电流: 80 A

Rds On-漏源导通电阻: 10.7 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 158 W

通道模式: Enhancement

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Single

高度: 4.4 mm

长度: 10 mm

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 9.25 mm

商标: Infineon Technologies

下降时间: 13 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 32 ns

工厂包装数量: 1000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 46 ns

典型接通延迟时间: 11 ns

零件号别名: SP000218177 IPB80N06S2L11ATMA1

单位重量: 4 g

为了实现更大的灵活性，Teledyne Imaging针对工作距离和测量范围对3D轮廓传感器进行了分级（Z轴范围／视野深度）。

Z-Trak2 S和V系列均包含六个型号，水平视野（FOV）从最小的9 mm至最大的980 mm不等，覆盖的焦深包括4、15、30、100、250、600 mm。

凭借着1~120μm的高度分辨率，即便是最小的高度偏差也无法逃脱检测——能够快速、可靠地识别缺陷品，并将其从生产环节中剔除。

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）