Nexperia新的功率GaN FET非常适合简洁的无桥图腾柱PFC电路
发布时间:2021/8/5 18:42:55 访问次数:296
全新650V H2功率GaN FET采用TO-247封装，对于给定RDS(on)值，芯片尺寸缩小36%，具有更好的稳定性和效率。
钛金级是80 PLUS®规格中最严苛的，满载条件下要求达到>91%的效率（半载条件下>96%）。
对于2 kW及更高功率的服务器电源应用，使用传统硅器件来实现这种性能水平，电路设计复杂而具有挑战性。Nexperia新的功率GaN FET非常适合简洁的无桥图腾柱PFC电路，使用更少的器件，并能减少尺寸和系统成本。
切换器配有错误处理、先进的错误报告等功能，以及带有纠错功能的端到端数据保护功能，这是可靠性、可用性与服务性 (RAS) 方面的关键功能。
先进的电源管理能力，代表这款切换器符合最严格的节能要求。在热插入埠未使用时，将维持在低功耗状态。在满载条件和 80°C 的接面温度下，PI7C9X3G808GP 的功耗仅为 2.9W。
Diodes Incorporated 的PI7C9X3G808GP采用 196 球 BGA 格式高效能覆晶封装方式，尺寸为 15mm x 15mm。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
全新650V H2功率GaN FET采用TO-247封装，对于给定RDS(on)值，芯片尺寸缩小36%，具有更好的稳定性和效率。
钛金级是80 PLUS®规格中最严苛的，满载条件下要求达到>91%的效率（半载条件下>96%）。
对于2 kW及更高功率的服务器电源应用，使用传统硅器件来实现这种性能水平，电路设计复杂而具有挑战性。Nexperia新的功率GaN FET非常适合简洁的无桥图腾柱PFC电路，使用更少的器件，并能减少尺寸和系统成本。
切换器配有错误处理、先进的错误报告等功能，以及带有纠错功能的端到端数据保护功能，这是可靠性、可用性与服务性 (RAS) 方面的关键功能。
先进的电源管理能力，代表这款切换器符合最严格的节能要求。在热插入埠未使用时，将维持在低功耗状态。在满载条件和 80°C 的接面温度下，PI7C9X3G808GP 的功耗仅为 2.9W。
Diodes Incorporated 的PI7C9X3G808GP采用 196 球 BGA 格式高效能覆晶封装方式，尺寸为 15mm x 15mm。
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