EVLMG1-250WLLC是一个标称400V输入的电源参考设计，提供一个24V/10A输出端口，最高能效超过94％。得益于MasterGaN内部集成的安全功能，变换器输出有短路和过流保护功能。

还具有欠压保护和输入电压监测功能，电压检测功能可在多个DC/DC变换器中实现上电排序，防止电动机低压起动。

意法半导体的MasterGaN系列产品由引脚兼容的集成半桥产品组成，包括对称和非对称配置，采用9mm x 9mm的薄型GQFN封装。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-263-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 40 V

Id-连续漏极电流: 100 A

Rds On-漏源导通电阻: 3.6 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.1 V

Qg-栅极电荷: 172 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 300 W

通道模式: Enhancement

资格: AEC-Q101

封装: Cut Tape

封装: Reel

配置: Single

高度: 4.4 mm

长度: 10 mm

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 9.25 mm

商标: Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值: 28 S

下降时间: 5 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 40 ns

工厂包装数量: 1000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 20 ns

典型接通延迟时间: 15 ns

零件号别名: IPB100N04S2-04 SP001058122

单位重量: 4 g

RZ/V2L MPU的关键特性

64位Arm® Cortex®-A55（1.2GHz，双核或单核）内核和Cortex-M33内核

DRP-AI（1TOPS/W级）AI加速器，能够以每秒28帧（fps）的速度运行Tiny YOLOv2

DRP库提供机器视觉所需的简单ISP功能（最高可支持全高清）

16位、单通道DDR内存接口

年内能3D图形功能（Arm MaliTM-G31 GPU）

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