Oslon P1616宽波段发射器在350mA电流下提供74mW功率
发布时间:2021/8/3 13:21:59 访问次数:542
这款发射器具有650nm至1050nm光谱发射范围，并且设计非常小巧，适合用于医疗应用和可穿戴设备。它具有130°光束角，因而能够在更大的范围内拾取光。
目前市场上最小型NIRED设备，并且功率高三倍,SFH4737宽波段发射器体积小，尺寸仅为1.6mm x 1.6mm x 0.9mm，它是目前尺寸关键型应用的最佳选择。
其宽均匀波长光谱实现了广泛的红外光源覆盖范围。欧司朗Oslon P1616宽波段发射器在350mA电流下提供74mW功率，较先前型款提升了三倍。
新型功率MOSFET的尺寸仅为8 x 8 x 1.7 mm，具有领先的线性模式/安全工作区域(SOA)特性，可在大电流条件下安全可靠地开关工作。
在1 ms、20 VDS的工作条件下，由于芯片和封装的组合，SOA为35 A，而在10 ms、20 VDS的工作条件下，此时封装将起主导作用，SOA为17 A。
这些数据优于竞品1.5倍至2倍。这些器件还提供最佳单脉冲雪崩额定值(EAS) 2.3 J以及超强ID电流额定值500 A，与其他竞品不同的是，该值是测量得出的极限，而非理论上的极限。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
这款发射器具有650nm至1050nm光谱发射范围，并且设计非常小巧，适合用于医疗应用和可穿戴设备。它具有130°光束角，因而能够在更大的范围内拾取光。
目前市场上最小型NIRED设备，并且功率高三倍,SFH4737宽波段发射器体积小，尺寸仅为1.6mm x 1.6mm x 0.9mm，它是目前尺寸关键型应用的最佳选择。
其宽均匀波长光谱实现了广泛的红外光源覆盖范围。欧司朗Oslon P1616宽波段发射器在350mA电流下提供74mW功率，较先前型款提升了三倍。
新型功率MOSFET的尺寸仅为8 x 8 x 1.7 mm，具有领先的线性模式/安全工作区域(SOA)特性，可在大电流条件下安全可靠地开关工作。
在1 ms、20 VDS的工作条件下，由于芯片和封装的组合，SOA为35 A，而在10 ms、20 VDS的工作条件下，此时封装将起主导作用，SOA为17 A。
这些数据优于竞品1.5倍至2倍。这些器件还提供最佳单脉冲雪崩额定值(EAS) 2.3 J以及超强ID电流额定值500 A，与其他竞品不同的是，该值是测量得出的极限，而非理论上的极限。
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