全新系列的高功率射频和微波PIN二极管同轴封装开关，适用于商业和军事雷达、干扰系统、医学成像、通信和电子战等领域。

Pasternack的新型大功率射频和微波PIN二极管开关采用的是GaN半导体技术。

在制造过程中采用GaN技术的芯片和线材能够确保电源性能优良以及出色的功率容积比，适用于宽带大功率应用。该PIN二极管开关具有出色的热性能和高击穿电压，能够在宽带、窄带射频和微波频率下承受较高的输入功率电平。

制造商:Infineon 产品种类:MOSFET RoHS: 详细信息 技术:Si 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:200 V Id-连续漏极电流:34 A Rds On-漏源导通电阻:28 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:2 V Qg-栅极电荷:29 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 175 C Pd-功率耗散:136 W 通道模式:Enhancement 商标名:OptiMOS 封装:Tube 配置:Single 高度:15.65 mm 长度:10 mm 系列:OptiMOS 3 晶体管类型:1 N-Channel 类型:OptiMOS 3 Power-Transistor 宽度:4.4 mm 商标:Infineon Technologies 正向跨导 - 最小值:27 S 下降时间:4 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:9 ns 工厂包装数量:500 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:21 ns 典型接通延迟时间:11 ns 零件号别名:SP000677842 IPP32N2N3GXK IPP320N20N3GXKSA1 单位重量:2 g

3个DC/DC转换器作为摄像头模块所需的电源系统。本产品还配备了各种保护功能，除了可减少外置部件数量的时序控制功能外，还有用来监控电压状态的Power Good等诸多功能，可以在确保高可靠性的同时实现摄像头模块用的低EMI且高效率的电源电路。

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