在+200 °C高温下工作，采用小型C外形编码的新系列HI-TMP®表面贴装液钽电容器---T24系列。

该系列电容器尺寸和占位面积小于同类插件和模压高温器件，更有效地利用基板空间，提高石油勘探以及国防和航空航天雷达应用的可靠性。

日前发布电容器外形尺寸为9 mm x 7.1 mm x 7.4 mm,采用钽金属外壳与玻璃-钽密封。

器件工作温度为-55 °C至+85 °C，电压降额工作温度可达+200 °C，120 Hz和 +85 °C条件下最大ESR仅为2.5 Ω。电容符合RoHS和Vishay绿色标准，无卤素。

制造商: Infineon

产品种类: IGBT 晶体管

RoHS: 详细信息

技术: Si

封装 / 箱体: TO-220-3

安装风格: Through Hole

配置: Single

集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V

集电极—射极饱和电压: 1.5 V

栅极/发射极最大电压: 20 V

在25 C的连续集电极电流: 26 A

Pd-功率耗散: 110 W

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 175 C

系列: TRENCHSTOP IGBT

封装: Tube

高度: 15.95 mm

长度: 10.36 mm

宽度: 4.57 mm

商标: Infineon Technologies

栅极—射极漏泄电流: 100 nA

产品类型: IGBT Transistors

工厂包装数量: 500

子类别: IGBTs

商标名: TRENCHSTOP

零件号别名: SP000683064 IKP15N6TXK IKP15N60TXKSA1

单位重量: 6 g

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(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）