单个氮化镓晶体管实现3.6千瓦(kW)输出功率的性能屏障
发布时间:2021/7/26 13:27:43 访问次数:273
通过ILT的专有算法,DK-ILT001能够以超低的处理成本准确测量目标的位置和形状。
DK-ILT001将作为入门级模块发布,它能用于对快速、准确且反应灵敏的3D传感技术进行很方便的评估,并支持新的软件应用程序的开发。
DK-ILT001由小巧轻便的硬件模块和专用固件组成,可以轻松提供快速移动物体的精确3D点云数据。
它支持符合行业标准的中间件,包括:OpenCV、PCL、Open3D、ROS和Unity,以及C++和Python,用户可使用这些中间件毫不费力地快速地构建自己想要的3D传感系统。
制造商:ROHM Semiconductor 产品种类:稳压二极管 Vz - 齐纳电压:6.93 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOD-323-2 Pd-功率耗散:200 mW 齐纳电流:5 mA Zz - 齐纳阻抗:40 Ohms 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C 配置:Single 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 商标:ROHM Semiconductor Ir - 反向电流 :0.5 uA 产品类型:Zener Diodes 工厂包装数量3000 子类别:Diodes & Rectifiers 零件号别名:UDZV6.8B 单位重量:10 mg
100V射频氮化镓(GaN)/碳化硅(SiC)技术,此技术适用的应用领域非常广泛,包括雷达、航空电子、电子战、工业、科研和医疗系统。
在100V工作时,此项技术通过单个氮化镓晶体管即可实现3.6千瓦(kW)的输出功率,打破了射频功率的性能屏障。
与更常见的50V/65V氮化镓技术相比,Integra的100V氮化镓技术使设计师能够大幅提高系统的功率水平和功能,同时还能采用更低功率的组合电路来简化系统架构。
(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)
通过ILT的专有算法,DK-ILT001能够以超低的处理成本准确测量目标的位置和形状。
DK-ILT001将作为入门级模块发布,它能用于对快速、准确且反应灵敏的3D传感技术进行很方便的评估,并支持新的软件应用程序的开发。
DK-ILT001由小巧轻便的硬件模块和专用固件组成,可以轻松提供快速移动物体的精确3D点云数据。
它支持符合行业标准的中间件,包括:OpenCV、PCL、Open3D、ROS和Unity,以及C++和Python,用户可使用这些中间件毫不费力地快速地构建自己想要的3D传感系统。
制造商:ROHM Semiconductor 产品种类:稳压二极管 Vz - 齐纳电压:6.93 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOD-323-2 Pd-功率耗散:200 mW 齐纳电流:5 mA Zz - 齐纳阻抗:40 Ohms 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C 配置:Single 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 商标:ROHM Semiconductor Ir - 反向电流 :0.5 uA 产品类型:Zener Diodes 工厂包装数量3000 子类别:Diodes & Rectifiers 零件号别名:UDZV6.8B 单位重量:10 mg
100V射频氮化镓(GaN)/碳化硅(SiC)技术,此技术适用的应用领域非常广泛,包括雷达、航空电子、电子战、工业、科研和医疗系统。
在100V工作时,此项技术通过单个氮化镓晶体管即可实现3.6千瓦(kW)的输出功率,打破了射频功率的性能屏障。
与更常见的50V/65V氮化镓技术相比,Integra的100V氮化镓技术使设计师能够大幅提高系统的功率水平和功能,同时还能采用更低功率的组合电路来简化系统架构。
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