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DFN1110-3A封装新款双向对称(BiSy)两线ESD保护二极管

发布时间:2021/7/25 13:20:20 访问次数:172

典型负载电容仅为0.37 pF,适用于USB 2.0、USB 3.0以及HDMI端口保护等商业应用。

Si823Hx系列是4A对称隔离栅极驱动器,包括有单个或双控制输入,独立或高边/低边输出.这些驱动器工作电压3.0V-5.5V VDD,最大驱动电源电压30V.

该器件采用该公司的专有的硅隔离技术,支持高达5 kVRMS 1分钟隔离电压.

该技术具有高CMTI(125 kV/μs),更低传输时延和歪斜,随温度和老化变化不大以及低元件到元件匹配.输出级的独特架构升压器件提供负载功率开关米勒平坦区更高的上拉功能,从而支持更快的开通时间.

制造商:Microchip产品种类:仪表放大器RoHS: 通道数量:1 ChannelCMRR - 共模抑制比:80 dBIb - 输入偏流:100 pAVos - 输入偏置电压 :22 uV工作电源电流:1.1 mA最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 125 C安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:DFN-8封装:Tube放大器类型:Instrumentation Amplifier输入类型:Rail-to-Rail输出类型:Rail-to-Rail产品:Instrumentation Amplifiers商标:Microchip Technology关闭:No Shutdownen - 输入电压噪声密度:45 nV/sqrt Hz增益V/V:10 V/VGBP-增益带宽产品:5 MHzIos - 输入偏置电流 :1500 pA最大输入电阻:130 Ohms工作电源电压:5.5 V每个通道的输出电流:30 mA产品类型:Instrumentation AmplifiersPSRR - 电源抑制比:98 dB120子类别:Amplifier ICs单位重量:37.400 mg

小型可润湿侧翼DFN1110-3A封装新款双向对称(BiSy)两线ESD保护二极管---VBUS05M2-HT5。

Vishay Semiconductors VBUS05M2-HT5比SOT封装解决方案节省空间,具有超低电容和漏电流,可保护高速数据线免受瞬变电压信号的影响。

对于汽车应用,VBUS05M2-HT5还提供AEC-Q101认证版器件。

这个保护二极管在± 5.5 V工作电压下的最大漏电流小于0.1 μA,在1 mA反向电流条件下典型击穿电压为8.5 V,在3.4 A峰值脉冲电流条件下最高钳位电压为18 V。

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)


典型负载电容仅为0.37 pF,适用于USB 2.0、USB 3.0以及HDMI端口保护等商业应用。

Si823Hx系列是4A对称隔离栅极驱动器,包括有单个或双控制输入,独立或高边/低边输出.这些驱动器工作电压3.0V-5.5V VDD,最大驱动电源电压30V.

该器件采用该公司的专有的硅隔离技术,支持高达5 kVRMS 1分钟隔离电压.

该技术具有高CMTI(125 kV/μs),更低传输时延和歪斜,随温度和老化变化不大以及低元件到元件匹配.输出级的独特架构升压器件提供负载功率开关米勒平坦区更高的上拉功能,从而支持更快的开通时间.

制造商:Microchip产品种类:仪表放大器RoHS: 通道数量:1 ChannelCMRR - 共模抑制比:80 dBIb - 输入偏流:100 pAVos - 输入偏置电压 :22 uV工作电源电流:1.1 mA最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 125 C安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:DFN-8封装:Tube放大器类型:Instrumentation Amplifier输入类型:Rail-to-Rail输出类型:Rail-to-Rail产品:Instrumentation Amplifiers商标:Microchip Technology关闭:No Shutdownen - 输入电压噪声密度:45 nV/sqrt Hz增益V/V:10 V/VGBP-增益带宽产品:5 MHzIos - 输入偏置电流 :1500 pA最大输入电阻:130 Ohms工作电源电压:5.5 V每个通道的输出电流:30 mA产品类型:Instrumentation AmplifiersPSRR - 电源抑制比:98 dB120子类别:Amplifier ICs单位重量:37.400 mg

小型可润湿侧翼DFN1110-3A封装新款双向对称(BiSy)两线ESD保护二极管---VBUS05M2-HT5。

Vishay Semiconductors VBUS05M2-HT5比SOT封装解决方案节省空间,具有超低电容和漏电流,可保护高速数据线免受瞬变电压信号的影响。

对于汽车应用,VBUS05M2-HT5还提供AEC-Q101认证版器件。

这个保护二极管在± 5.5 V工作电压下的最大漏电流小于0.1 μA,在1 mA反向电流条件下典型击穿电压为8.5 V,在3.4 A峰值脉冲电流条件下最高钳位电压为18 V。

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)


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