SiC能满足消费者对更高续航里程和更快充电的需求，因此电动汽车在功率转换和逆变器应用中对SiC的采用正在迅速增加。

RGWxx65C系列”是Hybrid型IGBT，在IGBT*2的反馈单元（续流二极管)中采用了ROHM的低损耗SiC肖特基势垒二极管(SiC SBD）,成功大幅降低以往IGBT产品导通时的开关损耗（以下称“开通损耗”*3）。

搭配Si828x系列使用的WolfspeedSiC FET可提高功率和转换效率，这意味着更少的电池单元、更多传输给电动机的功率以及更低的运营成本。

制造商: STMicroelectronics

产品种类: 马达/运动/点火控制器和驱动器

RoHS: 详细信息

类型: Driver

工作电源电压: 8 V to 52 V

工作电源电流: 10 mA

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 150 C

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: PowerSO-20

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

系列: L6205

商标: STMicroelectronics

湿度敏感性: Yes

产品类型: Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers

工厂包装数量: 600

子类别: PMIC - Power Management ICs

单位重量: 2 g

为了进一步提高系统的效率，对各种车载设备的逆变器和转换器电路中使用的功率半导体也提出了多样化需求，超低损耗的SiC功率元器件（SiC MOSFET、SiC SBD等）和传统的硅功率元器件（IGBT、SJ-MOSFET等）都在经历技术变革。

ROHM致力于为广泛的应用提供有效的电源解决方案，不仅专注于行业先进的SiC功率元器件，还积极推动Si功率元器件和驱动IC的技术及产品开发。

此次，开发了能够为普及中的车载、工业设备提供更高性价比的Hybrid IGBT。

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）