低导通电阻和芯片尺寸低电容和门极电荷嵌入式MXM图形模块
发布时间:2021/7/12 21:14:33 访问次数:607
Turing架构的嵌入式MXM图形模块，为边缘计算与边缘Al推理注入强大的运算能力，并符合客户面临的SWaP要求。
嵌入式MXM图形模块可加速众多计算密集型应用的边缘计算和边缘AI，且尤其适用于如通风不良、密闭或具腐蚀性的严苛环境。
相关应用包括医学影像、工业自动化、生物识别访问控制、自主移动机器人、交通、航天和国防等。随着边缘AI应用的普及，业界对高性能、低功耗GPU模快的需求也与日俱增。
一个使能引脚将同时关断两个输出，且 NCP51561 提供其他重要的保护功能，如用于两个门极驱动器的独立欠压锁定 (UVLO) 和使能功能。
安森美半导体提供阵容广泛的 SiC MOSFET，它们比硅 MOSFET 提供更高能效。
低导通电阻 (RDS(on)) 和小巧的芯片尺寸确保低电容和门极电荷 (Qg)，以在更小的系统尺寸中提供最高的能效，从而提高功率密度。
安森美半导体提供完整的硅基 650 V SUPERFET® III MOSFET 产品组合。
Turing架构的嵌入式MXM图形模块，为边缘计算与边缘Al推理注入强大的运算能力，并符合客户面临的SWaP要求。
嵌入式MXM图形模块可加速众多计算密集型应用的边缘计算和边缘AI，且尤其适用于如通风不良、密闭或具腐蚀性的严苛环境。
相关应用包括医学影像、工业自动化、生物识别访问控制、自主移动机器人、交通、航天和国防等。随着边缘AI应用的普及，业界对高性能、低功耗GPU模快的需求也与日俱增。
一个使能引脚将同时关断两个输出，且 NCP51561 提供其他重要的保护功能，如用于两个门极驱动器的独立欠压锁定 (UVLO) 和使能功能。
安森美半导体提供阵容广泛的 SiC MOSFET，它们比硅 MOSFET 提供更高能效。
低导通电阻 (RDS(on)) 和小巧的芯片尺寸确保低电容和门极电荷 (Qg)，以在更小的系统尺寸中提供最高的能效，从而提高功率密度。
安森美半导体提供完整的硅基 650 V SUPERFET® III MOSFET 产品组合。
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