钳位电路和驱动电路的部件选型支持陶瓷输出电容
发布时间:2021/7/6 13:19:25 访问次数:127
新产品采用一体化封装，相比采用Si-MOSFET的普通分立产品配置，部件数量显著减少，1个封装内包含多达12个部件（AC/DC转换器控制IC、800V耐压Si-MOSFET×2、齐纳二极管×3、电阻器×6）和散热板。另外，由于SiC MOSFET具有高耐压、抗噪性能优异的特点，还可实现降噪部件的小型化。
减少开发周期和风险，内置保护功能，可靠性显著提高，新产品采用一体化封装，可减少钳位电路和驱动电路的部件选型及可靠性评估的工时，可降低部件故障风险，可缩减引进SiC MOSFET时的开发周期，一举多得。
TPS548B28具有快速负载瞬态响应,精确的负载调整和线路调整,跳跃模式或FCCM工作和可编软起动时间.器件输入范围从4V到16V,无外接偏压的电流高达20A,输出电压范围从0.6V到5.5V.器件集成了7.7-mΩ和2.4-mΩ MOSFET,支持20A连续输出电流,支持所有陶瓷输出电容.
可选择FCCM或自动跳跃Eco模式以得到高的轻负载效率,引脚选择开关频率600 kHz, 800kHz和1 MHz,可编电流限制,差分遥控检测可得到高输出精度,外接基准输入用来跟踪,具有预偏压起动功能,开漏极功率良好输出,打嗝用于OC和UV故障,锁定关闭用于OV故障.
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
新产品采用一体化封装，相比采用Si-MOSFET的普通分立产品配置，部件数量显著减少，1个封装内包含多达12个部件（AC/DC转换器控制IC、800V耐压Si-MOSFET×2、齐纳二极管×3、电阻器×6）和散热板。另外，由于SiC MOSFET具有高耐压、抗噪性能优异的特点，还可实现降噪部件的小型化。
减少开发周期和风险，内置保护功能，可靠性显著提高，新产品采用一体化封装，可减少钳位电路和驱动电路的部件选型及可靠性评估的工时，可降低部件故障风险，可缩减引进SiC MOSFET时的开发周期，一举多得。
TPS548B28具有快速负载瞬态响应,精确的负载调整和线路调整,跳跃模式或FCCM工作和可编软起动时间.器件输入范围从4V到16V,无外接偏压的电流高达20A,输出电压范围从0.6V到5.5V.器件集成了7.7-mΩ和2.4-mΩ MOSFET,支持20A连续输出电流,支持所有陶瓷输出电容.
可选择FCCM或自动跳跃Eco模式以得到高的轻负载效率,引脚选择开关频率600 kHz, 800kHz和1 MHz,可编电流限制,差分遥控检测可得到高输出精度,外接基准输入用来跟踪,具有预偏压起动功能,开漏极功率良好输出,打嗝用于OC和UV故障,锁定关闭用于OV故障.
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