IGBT模块安装最大限度缩短了引线提供小占位面积的封装
发布时间:2021/6/30 20:20:46 访问次数:277
ModCap 采用特殊结构设计,能最大限度减小杂散电感,整个系列的电感值均不超过 14 nH。
新颖的设计还使其能靠近 IGBT 模块安装,最大限度缩短了引线。加上低至 14 nH 的超低自感,可确保在断电时有效防止 IGBT 模块上出现明显电压过冲。
因此,一般情况下就无需额外的缓冲电容器。
ModCap 凝聚了 TDK 在 AD-HOC 树脂填充解决方案领域的丰富经验和知识,采用智能金属型材,可最大化自愈能力,同时能处理高电流密度并控制损耗。
制造商: SanDisk
产品种类: 存储卡
RoHS: 详细信息
系列: SDSDQAF3
产品: MicroSD Cards
配置: MLC
存储容量: 16 GB
连续写入: 50 MB/s
连续读取: 80 MB/s
接口类型: UHS-I (SDR104)
工作电源电压: 2.7 V to 3.6 V
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
性能: Speed Class 10 U1
商标: SanDisk
NAND闪存技术: MLC
产品类型: Memory Cards
工厂包装数量: 120
子类别: Memory & Data Storage
单位重量: 4.536 g

Lattice Nexus FPGA平台,采用低功耗28nm FD-SOI工艺,组合了FPGA的极好的灵活性和低功耗和高可靠性,提供了小占位面积的封装.CrossLink-NX系列支持多种接口包括MIPI D-PHY (CSI-2, DSI), LVDS, SLVS, subLVDS, PCI Express (Gen1, Gen2), SGMII (吉比特以太网)等.
支持高达1.8V VCCIO,混合电压支持1.0 V, 1.2 V, 1.5 V, 1.8 V,高速差分高达1.5Gbps,支持soft D-PHY (Tx/Rx), LVDS 7:1 (Tx/Rx), SLVS (Tx/Rx), subLVDS (Rx)以及SGMII(Gb 以太网)-1.25Gbps时两路(Tx/Rx).
(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)
ModCap 采用特殊结构设计,能最大限度减小杂散电感,整个系列的电感值均不超过 14 nH。
新颖的设计还使其能靠近 IGBT 模块安装,最大限度缩短了引线。加上低至 14 nH 的超低自感,可确保在断电时有效防止 IGBT 模块上出现明显电压过冲。
因此,一般情况下就无需额外的缓冲电容器。
ModCap 凝聚了 TDK 在 AD-HOC 树脂填充解决方案领域的丰富经验和知识,采用智能金属型材,可最大化自愈能力,同时能处理高电流密度并控制损耗。
制造商: SanDisk
产品种类: 存储卡
RoHS: 详细信息
系列: SDSDQAF3
产品: MicroSD Cards
配置: MLC
存储容量: 16 GB
连续写入: 50 MB/s
连续读取: 80 MB/s
接口类型: UHS-I (SDR104)
工作电源电压: 2.7 V to 3.6 V
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
性能: Speed Class 10 U1
商标: SanDisk
NAND闪存技术: MLC
产品类型: Memory Cards
工厂包装数量: 120
子类别: Memory & Data Storage
单位重量: 4.536 g

Lattice Nexus FPGA平台,采用低功耗28nm FD-SOI工艺,组合了FPGA的极好的灵活性和低功耗和高可靠性,提供了小占位面积的封装.CrossLink-NX系列支持多种接口包括MIPI D-PHY (CSI-2, DSI), LVDS, SLVS, subLVDS, PCI Express (Gen1, Gen2), SGMII (吉比特以太网)等.
支持高达1.8V VCCIO,混合电压支持1.0 V, 1.2 V, 1.5 V, 1.8 V,高速差分高达1.5Gbps,支持soft D-PHY (Tx/Rx), LVDS 7:1 (Tx/Rx), SLVS (Tx/Rx), subLVDS (Rx)以及SGMII(Gb 以太网)-1.25Gbps时两路(Tx/Rx).
(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)