集成式快速开关50 A IGBT的关断性能优于纯硅解决方案，可与MOSFET媲美。

较之常规的碳化硅MOSFET，这款即插即用型解决方案可缩短产品上市时间，能以更低成本实现95％至97％的系统效率。

此外，CoolSiC肖特基二极管有助于降低导通和恢复损耗。相比纯硅设计而言，该器件是实现硬换向的理想器件，损耗可降低30%。

由于具有较低的冷却要求，该二极管还能降低系统成本，带来极佳的性价比优势。

制造商:Texas Instruments 产品种类:运算放大器 - 运放 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:MDIP-8 通道数量:1 Channel 电源电压-最大:15.5 V GBP-增益带宽产品:100 kHz SR - 转换速率 :35 mV/us Vos - 输入偏置电压 :800 uV 电源电压-最小:4.5 V 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C Ib - 输入偏流:10 fA 工作电源电流:32 uA 关闭:No Shutdown en - 输入电压噪声密度:83 nV/sqrt Hz 放大器类型:General Purpose Amplifier 高度:3.3 mm 长度:10.16 mm 电源类型:Single 技术:CMOS 类型:General Purpose Amplifiers 宽度:6.35 mm 商标:Texas Instruments In—输入噪声电流密度:0.0002 pA/sqrt Hz 工作电源电压:5 V, 9 V, 12 V, 15 V 产品类型:Op Amps - Operational Amplifiers PSRR - 电源抑制比:66 dB 子类别:Amplifier ICs 电压增益 dB:132.04 dB 单位重量:762 mg

EPC21603采用LVDS逻辑电路来控制，能够在超过100 MHz的超高频率和低于2 ns的超短脉冲下，调制并实现高达10A的激光驱动电流。

EPC21603集成了基于EPC专有的氮化镓IC技术的单芯片驱动器和氮化镓场效应晶体管（eGaN®FET），采用芯片级BGA封装，其外形尺寸仅为1.5 mm x 1.0 mm。

LVDS逻辑控制允许通过FPGA来控制eToF激光驱动集成电路，用于必需具备抗噪声干扰能力的应用，例如增强现实。