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传统硅快速恢复二极管相比实现低损耗和高速切换工作

发布时间:2021/6/27 22:51:22 访问次数:174

经济型电源产品满足IEC/UL/EN62368及DOSA标准,工作温度范围宽至-40℃ to +100℃,具有优良的温度降额曲线,隔离电压为1500VDC,纹波噪声低至100mV,输出效率高达93%。

轻载(10%)效率高达85%,空载损耗低至0.96W,可大幅降低客户系统待机功耗。

NJDC010A065AA3PS是使用了碳化硅材料的世界最小尺寸的肖特基二极管,其最大额定值为650V/10A,与传统硅的快速恢复二极管相比,可以实现低损耗和高速切换工作。

由于实现了世界上最小尺寸※和低热阻特性,所以可以优化电路板布局和外壳尺寸。

制造商:Texas Instruments 产品种类:精密放大器 系列: CMRR - 共模抑制比:85 dB 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-14 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 高度:1.45 mm 输入类型:Rail-to-Rail 长度:8.64 mm 输出类型:Rail-to-Rail 产品:Operational Amplifiers 电源类型:Single 技术:CMOS 宽度:3.91 mm 商标:Texas Instruments In—输入噪声电流密度:0.0002 pA/sqrt Hz 工作电源电压:5 V, 9 V, 12 V, 15 V 产品类型:Precision Amplifiers PSRR - 电源抑制比:75 dB 2500 子类别:Amplifier ICs 电压增益 dB:132.04 dB 单位重量:152.300 mg

SM2708 设计套件现已上市,其固件具有领先业界的绝佳性能,其中包括:

高性能 PCIe Gen3 x2 通道, NVMe 1.3 规格

支持双通道/8CE

支持最新3D NAND 闪存

支持 ONFI 4.1/3.0, Toggle 3.0/2.0, 最高达每秒 1,200 MT

NANDXtend® ECC 技术: 高性能 LDPC 纠错码(ECC)引擎和 RAID 功能

小于1.5mW的超低功耗


(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

经济型电源产品满足IEC/UL/EN62368及DOSA标准,工作温度范围宽至-40℃ to +100℃,具有优良的温度降额曲线,隔离电压为1500VDC,纹波噪声低至100mV,输出效率高达93%。

轻载(10%)效率高达85%,空载损耗低至0.96W,可大幅降低客户系统待机功耗。

NJDC010A065AA3PS是使用了碳化硅材料的世界最小尺寸的肖特基二极管,其最大额定值为650V/10A,与传统硅的快速恢复二极管相比,可以实现低损耗和高速切换工作。

由于实现了世界上最小尺寸※和低热阻特性,所以可以优化电路板布局和外壳尺寸。

制造商:Texas Instruments 产品种类:精密放大器 系列: CMRR - 共模抑制比:85 dB 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-14 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 高度:1.45 mm 输入类型:Rail-to-Rail 长度:8.64 mm 输出类型:Rail-to-Rail 产品:Operational Amplifiers 电源类型:Single 技术:CMOS 宽度:3.91 mm 商标:Texas Instruments In—输入噪声电流密度:0.0002 pA/sqrt Hz 工作电源电压:5 V, 9 V, 12 V, 15 V 产品类型:Precision Amplifiers PSRR - 电源抑制比:75 dB 2500 子类别:Amplifier ICs 电压增益 dB:132.04 dB 单位重量:152.300 mg

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高性能 PCIe Gen3 x2 通道, NVMe 1.3 规格

支持双通道/8CE

支持最新3D NAND 闪存

支持 ONFI 4.1/3.0, Toggle 3.0/2.0, 最高达每秒 1,200 MT

NANDXtend® ECC 技术: 高性能 LDPC 纠错码(ECC)引擎和 RAID 功能

小于1.5mW的超低功耗


(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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