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缓冲器和16位高速15MSPS逐次逼近寄存器(SAR)ADC

发布时间:2021/6/27 19:45:20 访问次数:107

ADAQ23875采用系统级封装 (SIP) 技术,通过将多个通用信号处理和调理模块整合在一个器件中,减少了终端系统元件数量,缩短了精密测量系统开发周期。

Analog Devices ADAQ23875 DAQ集成低噪声全差分模数转换器 (ADC) 驱动器、稳定的参考缓冲器和16位高速15 MSPS逐次逼近寄存器 (SAR) ADC。

ADAQ23875采用Analog Devices的iPassives®技术,还集成了具有出色匹配和漂移特性的关键无源元件,通过优化性能可最大程度地减少与温度有关的误差源。

制造商:NXP产品种类:ARM微控制器 - MCURoHS: 系列:安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:LQFP-100核心:程序存储器大小:256 kB数据总线宽度:32 bitADC分辨率:12 bit最大时钟频率:80 MHz数据 RAM 大小:32 kB工作电源电压:2.7 V to 5.5 V最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 125 C资格:AEC-Q100封装:Tray产品:MCU+DSP+FPU程序存储器类型:Flash商标:NXP Semiconductors数据 Ram 类型:SRAM数据 ROM 大小:4 kB数据 Rom 类型:EEPROM接口类型:I2C, I2S, LIN, PWM, SPI, UART模拟电源电压:2.7 V to 3 VDAC分辨率:8 bitI/O 电压:3.3 V湿度敏感性:YesADC通道数量:16 Channel计时器/计数器数量:4 Timer产品类型:ARM Microcontrollers - MCU450子类别:Microcontrollers - MCU电源电压-最大:5.5 V电源电压-最小:2.7 V看门狗计时器:Watchdog Timer零件号别名:935362253557

GaN器件具有更低的导通电阻值和更优异的高速开关性能,因而在基站和数据中心等领域作为有助于降低各种开关电源的功耗并实现小型化的器件被寄予厚望。

GaN器件的栅极-源极间额定电压较低,在开关工作期间可能会发生超过额定值的过冲电压,所以在产品可靠性方面一直存在很大的问题。

ROHM利用自有的结构,成功地将栅极-源极间额定电压从常规的6V提高到了8V,这将有助于提高采用高效率的GaN器件的电源电路的设计裕度和可靠性。

(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

ADAQ23875采用系统级封装 (SIP) 技术,通过将多个通用信号处理和调理模块整合在一个器件中,减少了终端系统元件数量,缩短了精密测量系统开发周期。

Analog Devices ADAQ23875 DAQ集成低噪声全差分模数转换器 (ADC) 驱动器、稳定的参考缓冲器和16位高速15 MSPS逐次逼近寄存器 (SAR) ADC。

ADAQ23875采用Analog Devices的iPassives®技术,还集成了具有出色匹配和漂移特性的关键无源元件,通过优化性能可最大程度地减少与温度有关的误差源。

制造商:NXP产品种类:ARM微控制器 - MCURoHS: 系列:安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:LQFP-100核心:程序存储器大小:256 kB数据总线宽度:32 bitADC分辨率:12 bit最大时钟频率:80 MHz数据 RAM 大小:32 kB工作电源电压:2.7 V to 5.5 V最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 125 C资格:AEC-Q100封装:Tray产品:MCU+DSP+FPU程序存储器类型:Flash商标:NXP Semiconductors数据 Ram 类型:SRAM数据 ROM 大小:4 kB数据 Rom 类型:EEPROM接口类型:I2C, I2S, LIN, PWM, SPI, UART模拟电源电压:2.7 V to 3 VDAC分辨率:8 bitI/O 电压:3.3 V湿度敏感性:YesADC通道数量:16 Channel计时器/计数器数量:4 Timer产品类型:ARM Microcontrollers - MCU450子类别:Microcontrollers - MCU电源电压-最大:5.5 V电源电压-最小:2.7 V看门狗计时器:Watchdog Timer零件号别名:935362253557

GaN器件具有更低的导通电阻值和更优异的高速开关性能,因而在基站和数据中心等领域作为有助于降低各种开关电源的功耗并实现小型化的器件被寄予厚望。

GaN器件的栅极-源极间额定电压较低,在开关工作期间可能会发生超过额定值的过冲电压,所以在产品可靠性方面一直存在很大的问题。

ROHM利用自有的结构,成功地将栅极-源极间额定电压从常规的6V提高到了8V,这将有助于提高采用高效率的GaN器件的电源电路的设计裕度和可靠性。

(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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