“PSR系列”拥有从0.1mΩ～3.0mΩ的超低阻值阵容，与“GMR系列”同为小型封装，都支持大功率和高精度检测，有助于汽车和工业设备实现小型化。

与此同时，对于作为大功率分流电阻器获得高度好评的“PSR系列”，通过施以引脚温度降额，将额定功率的保证值扩展至最大15W，并且还改善了电阻温度系数的规格值。

新产品“GMR320”已于2021年2月开始量产（300日元/个，不含税）。前期工序和后期工序的生产基地均为ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.（泰国）。

制造商:Texas Instruments 产品种类:射频微控制器 - MCU 工作频率:300 MHz to 928 MHz 数据总线宽度:16 bit 程序存储器大小:32 kB 数据 RAM 大小:4 kB 最大时钟频率:25 MHz ADC分辨率:10 bit 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:VQFN-64 安装风格:SMD/SMT 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 程序存储器类型:Flash 技术:Si 商标:Texas Instruments 数据 Ram 类型:SRAM 接口类型:Serial, USCI 输入/输出端数量:44 I/O 最小工作温度:- 40 C 湿度敏感性:Yes ADC通道数量:8 定时器数量:8 处理器系列:CC430 RF 产品类型:RF Microcontrollers - MCU 工厂包装数量2000 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits 电源电压-最大:3.6 v 电源电压-最小:1.8 V 单位重量:227.400 mg

MasterGaN4*功率封装集成了两个对称的225mΩ RDS(on)、650V氮化镓(GaN)功率晶体管，以及优化的栅极驱动器和电路保护功能，可以简化高达200W的高能效电源变换应用的设计。

作为意法半导体MasterGaN系列的最新产品，MasterGaN4解决了复杂的栅极控制和电路布局难题，简化了宽带隙GaN功率半导体的应用设计。

MasterGaN4的输入容许电压为3.3V-15V，可以直接连接到控制器，例如，霍尔效应传感器或微控制器、DSP处理器、FPGA可编程器件等CMOS芯片。