STDRIVE半桥栅极驱动器及两颗650V常关GaN晶体管MasterGaN1
发布时间:2021/6/25 12:23:32 访问次数:395
MasterGaN的首个参考设计，展示了新款高集成度器件如何提高功率密度、能效，简化产品设计，缩短上市时间。
EVLMG1-250WLLC参考设计是一个250W谐振变换器，电路板尺寸是100mm x 60mm，最高组件高度是35mm。功率芯片是集成了一个STDRIVE半桥栅极驱动器以及两颗650V常关的GaN晶体管的MasterGaN1。
具有匹配的时序参数,导通电阻(Rds(on)) 150mΩ，最大额定电流10A，逻辑输入兼容3.3V至15V信号。
制造商:Panasonic 产品种类:铝质电解电容器-SMD RoHS: 详细信息 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 系列:S-V 产品:Aluminum Electrolytic Capacitors 电容:33 uF 电压额定值 DC:25 VDC 容差:20 % 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 直径:5 mm 长度:5.4 mm 高度:5.4 mm 寿命:1000 Hour 纹波电流:42 mA 资格:AEC-Q200 端接类型:SMD/SMT 商标:Panasonic 漏泄电流:3 uA 损耗因数 DF:0.2 产品类型:Electrolytic Capacitors 工厂包装数量:1000 子类别:Capacitors 单位重量:200 mg
高精度薄膜片式电阻，适用于工业、医疗、国防和航空航天应用。与竞品器件相比，Vishay SferniceP2TC扩大了阻值和温度范围，TCR可达± 2 ppm/C，具有多种外形尺寸并提高了额定功率。
日前发布的器件从0402到2010包括五种外形尺寸，阻值为100 W~3.05 MW，公差低至± 0.01 %；工作温度-55°C至+155°C,额定功率高达1W。
电阻噪声低于-35 dB，电压系数小于0.01 ppm / V，+70 °C条件下工作2,000小时阻值偏移率的典型值为± 0.05 %，各项指标优于MIL-PRF-55342G技术要求。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
MasterGaN的首个参考设计，展示了新款高集成度器件如何提高功率密度、能效，简化产品设计，缩短上市时间。
EVLMG1-250WLLC参考设计是一个250W谐振变换器，电路板尺寸是100mm x 60mm，最高组件高度是35mm。功率芯片是集成了一个STDRIVE半桥栅极驱动器以及两颗650V常关的GaN晶体管的MasterGaN1。
具有匹配的时序参数,导通电阻(Rds(on)) 150mΩ，最大额定电流10A，逻辑输入兼容3.3V至15V信号。
制造商:Panasonic 产品种类:铝质电解电容器-SMD RoHS: 详细信息 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 系列:S-V 产品:Aluminum Electrolytic Capacitors 电容:33 uF 电压额定值 DC:25 VDC 容差:20 % 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 直径:5 mm 长度:5.4 mm 高度:5.4 mm 寿命:1000 Hour 纹波电流:42 mA 资格:AEC-Q200 端接类型:SMD/SMT 商标:Panasonic 漏泄电流:3 uA 损耗因数 DF:0.2 产品类型:Electrolytic Capacitors 工厂包装数量:1000 子类别:Capacitors 单位重量:200 mg
高精度薄膜片式电阻，适用于工业、医疗、国防和航空航天应用。与竞品器件相比，Vishay SferniceP2TC扩大了阻值和温度范围，TCR可达± 2 ppm/C，具有多种外形尺寸并提高了额定功率。
日前发布的器件从0402到2010包括五种外形尺寸，阻值为100 W~3.05 MW，公差低至± 0.01 %；工作温度-55°C至+155°C,额定功率高达1W。
电阻噪声低于-35 dB，电压系数小于0.01 ppm / V，+70 °C条件下工作2,000小时阻值偏移率的典型值为± 0.05 %，各项指标优于MIL-PRF-55342G技术要求。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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