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4.5V条件下导通电阻与栅极电荷乘积传导噪音降低至1/3

发布时间:2021/6/24 20:45:04 访问次数:422


4.5 V条件下器件导通电阻为1.5 mW,而4.5 V条件下导通电阻与栅极电荷乘积,即MOSFET开关应用重要优值系数(FOM)为29.8 mW*nC,是市场上优值系数最低的产品之一。

SiSS52DN的FOM比上一代器件低29%,从而降低导通和开关损耗,节省功率转换应用的能源。

SiSS52DN适用于同步整流、同步降压转换器、DC/DC转换器、开关柜拓扑结构、OR-ring FET低边开关,以及服务器、通信和RF设备电源的负载切换。MOSFET可提高隔离和非隔离拓扑结构的性能,简化设计人员两种电路的器件选择。


制造商: Analog Devices Inc.

产品种类: 加速计

RoHS: 详细信息

传感器类型: 3-axis

传感轴: X, Y, Z

加速: 2 g, 4 g, 8 g, 16 g

灵敏度: 4 mg/LSB

输出类型: Digital

接口类型: I2C, SPI

分辨率: 13 bit

电源电压-最大: 3.6 V

电源电压-最小: 2 V

工作电源电流: 140 uA

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 105 C

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: LGA-14

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

高度: 3 mm

长度: 5 mm

系列: ADXL345

类型: 3-Axis Digital Accelerometer

宽度: 1 mm

商标: Analog Devices

湿度敏感性: Yes

工作电源电压: 2.5 V

产品类型: Accelerometers

工厂包装数量: 1500

子类别: Sensors

单位重量: 30.500 mg


主要特点


传导噪音降低至1/3

业界最小的尺寸等级,采用超小型HSNT-8(2030)(2.0×3.0×t0.5mm)封装

快速瞬态响应

PWM控制,PWM/PFM控制可供选择

低纹波

输入电压36V/额定电压45V


(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)


4.5 V条件下器件导通电阻为1.5 mW,而4.5 V条件下导通电阻与栅极电荷乘积,即MOSFET开关应用重要优值系数(FOM)为29.8 mW*nC,是市场上优值系数最低的产品之一。

SiSS52DN的FOM比上一代器件低29%,从而降低导通和开关损耗,节省功率转换应用的能源。

SiSS52DN适用于同步整流、同步降压转换器、DC/DC转换器、开关柜拓扑结构、OR-ring FET低边开关,以及服务器、通信和RF设备电源的负载切换。MOSFET可提高隔离和非隔离拓扑结构的性能,简化设计人员两种电路的器件选择。


制造商: Analog Devices Inc.

产品种类: 加速计

RoHS: 详细信息

传感器类型: 3-axis

传感轴: X, Y, Z

加速: 2 g, 4 g, 8 g, 16 g

灵敏度: 4 mg/LSB

输出类型: Digital

接口类型: I2C, SPI

分辨率: 13 bit

电源电压-最大: 3.6 V

电源电压-最小: 2 V

工作电源电流: 140 uA

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 105 C

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: LGA-14

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

高度: 3 mm

长度: 5 mm

系列: ADXL345

类型: 3-Axis Digital Accelerometer

宽度: 1 mm

商标: Analog Devices

湿度敏感性: Yes

工作电源电压: 2.5 V

产品类型: Accelerometers

工厂包装数量: 1500

子类别: Sensors

单位重量: 30.500 mg


主要特点


传导噪音降低至1/3

业界最小的尺寸等级,采用超小型HSNT-8(2030)(2.0×3.0×t0.5mm)封装

快速瞬态响应

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低纹波

输入电压36V/额定电压45V


(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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