4.5V条件下导通电阻与栅极电荷乘积传导噪音降低至1/3
发布时间:2021/6/24 20:45:04 访问次数:422
4.5 V条件下器件导通电阻为1.5 mW,而4.5 V条件下导通电阻与栅极电荷乘积,即MOSFET开关应用重要优值系数(FOM)为29.8 mW*nC,是市场上优值系数最低的产品之一。
SiSS52DN的FOM比上一代器件低29%,从而降低导通和开关损耗,节省功率转换应用的能源。
SiSS52DN适用于同步整流、同步降压转换器、DC/DC转换器、开关柜拓扑结构、OR-ring FET低边开关,以及服务器、通信和RF设备电源的负载切换。MOSFET可提高隔离和非隔离拓扑结构的性能,简化设计人员两种电路的器件选择。
制造商: Analog Devices Inc.
产品种类: 加速计
RoHS: 详细信息
传感器类型: 3-axis
传感轴: X, Y, Z
加速: 2 g, 4 g, 8 g, 16 g
灵敏度: 4 mg/LSB
输出类型: Digital
接口类型: I2C, SPI
分辨率: 13 bit
电源电压-最大: 3.6 V
电源电压-最小: 2 V
工作电源电流: 140 uA
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 105 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: LGA-14
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 3 mm
长度: 5 mm
系列: ADXL345
类型: 3-Axis Digital Accelerometer
宽度: 1 mm
商标: Analog Devices
湿度敏感性: Yes
工作电源电压: 2.5 V
产品类型: Accelerometers
工厂包装数量: 1500
子类别: Sensors
单位重量: 30.500 mg
传导噪音降低至1/3
业界最小的尺寸等级,采用超小型HSNT-8(2030)(2.0×3.0×t0.5mm)封装
快速瞬态响应
PWM控制,PWM/PFM控制可供选择
低纹波
输入电压36V/额定电压45V
(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)
4.5 V条件下器件导通电阻为1.5 mW,而4.5 V条件下导通电阻与栅极电荷乘积,即MOSFET开关应用重要优值系数(FOM)为29.8 mW*nC,是市场上优值系数最低的产品之一。
SiSS52DN的FOM比上一代器件低29%,从而降低导通和开关损耗,节省功率转换应用的能源。
SiSS52DN适用于同步整流、同步降压转换器、DC/DC转换器、开关柜拓扑结构、OR-ring FET低边开关,以及服务器、通信和RF设备电源的负载切换。MOSFET可提高隔离和非隔离拓扑结构的性能,简化设计人员两种电路的器件选择。
制造商: Analog Devices Inc.
产品种类: 加速计
RoHS: 详细信息
传感器类型: 3-axis
传感轴: X, Y, Z
加速: 2 g, 4 g, 8 g, 16 g
灵敏度: 4 mg/LSB
输出类型: Digital
接口类型: I2C, SPI
分辨率: 13 bit
电源电压-最大: 3.6 V
电源电压-最小: 2 V
工作电源电流: 140 uA
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 105 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: LGA-14
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 3 mm
长度: 5 mm
系列: ADXL345
类型: 3-Axis Digital Accelerometer
宽度: 1 mm
商标: Analog Devices
湿度敏感性: Yes
工作电源电压: 2.5 V
产品类型: Accelerometers
工厂包装数量: 1500
子类别: Sensors
单位重量: 30.500 mg
传导噪音降低至1/3
业界最小的尺寸等级,采用超小型HSNT-8(2030)(2.0×3.0×t0.5mm)封装
快速瞬态响应
PWM控制,PWM/PFM控制可供选择
低纹波
输入电压36V/额定电压45V
(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)