双电源轨允许装置在SCL/SDA端与低功耗微芯片连接
发布时间:2021/6/22 22:22:06 访问次数:237
SiC MOSFET与新的模块和门极驱动器相辅相成，比类似的硅器件提供更胜一筹的开关性能和增强的散热性，令能效和功率密度更高，电磁干扰 (EMI) 得以改善，并减小系统尺寸和重量。
最近发布的 650 V SiC MOSFET 采用新颖的有源单元设计，结合先进的薄晶圆技术，使(RDS(on)*area) 的品质因数 (FoM) 达到同类最佳。
1200 V和900 V N沟道SiC MOSFET芯片尺寸小，减少了器件电容和门极电荷（Qg - 低至220 nC），从而减少电动车充电桩所需高频工作的开关损耗。
使用这些装置，无需使用外部电压电位转换器，可简化全新 ADAS 和车载资通讯系统的设计作业，也降低 BOM 成本。
这两款装置在 GPIO 端口侧的操作电压为 1.65V 至 5.5V。在 SCL/SDA 端 (I2C 接口)，PI4IOE5V6416Q 的操作电压为 1.65V 至 5.5V，PI4IOE5V6534Q 为 0.8V 至 3.6V。
这种双电源轨允许装置在 SCL/SDA 端与新世代低功耗微芯片连接。扩充器的待机电流消耗极低，PI4IOE5V6416Q 在 5V 时为 1.5μA，在 3.3V 时为 1μA，PI4IOE5V6434Q 在 3.3V 时为 2μA。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
SiC MOSFET与新的模块和门极驱动器相辅相成，比类似的硅器件提供更胜一筹的开关性能和增强的散热性，令能效和功率密度更高，电磁干扰 (EMI) 得以改善，并减小系统尺寸和重量。
最近发布的 650 V SiC MOSFET 采用新颖的有源单元设计，结合先进的薄晶圆技术，使(RDS(on)*area) 的品质因数 (FoM) 达到同类最佳。
1200 V和900 V N沟道SiC MOSFET芯片尺寸小，减少了器件电容和门极电荷（Qg - 低至220 nC），从而减少电动车充电桩所需高频工作的开关损耗。
使用这些装置，无需使用外部电压电位转换器，可简化全新 ADAS 和车载资通讯系统的设计作业，也降低 BOM 成本。
这两款装置在 GPIO 端口侧的操作电压为 1.65V 至 5.5V。在 SCL/SDA 端 (I2C 接口)，PI4IOE5V6416Q 的操作电压为 1.65V 至 5.5V，PI4IOE5V6534Q 为 0.8V 至 3.6V。
这种双电源轨允许装置在 SCL/SDA 端与新世代低功耗微芯片连接。扩充器的待机电流消耗极低，PI4IOE5V6416Q 在 5V 时为 1.5μA，在 3.3V 时为 1μA，PI4IOE5V6434Q 在 3.3V 时为 2μA。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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