多种端口/信道宽度组合在满载条件和80°C的接面温度
发布时间:2021/6/9 19:50:51 访问次数:196
数据包切换器支持 8 通道操作，支持 2、3、4、5和 8 端口配置。可利用直通 (cut-through) 及储存和转发 (store and forward) 模式，支持小于 150ns (典型值) 的数据包转发延迟。
PI7C9X3G808GP 数据包切换器采用专有架构，提供更优秀的灵活性和效能表现。
可提供多种端口/信道宽度组合，以及跨网域端点 (CDEP) 安排。PI7C9X3G808GP 藉由这项 CDEP 功能支持扇出与双主机连接。
内建的 PCIe 3.0 时钟缓冲器可以减少零组件的整体使用数量，有助于降低 BOM 成本。
制造商:Panasonic 产品种类:铝质电解电容器-SMD RoHS: 详细信息 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 系列:FP-V High 产品:High Temp Electrolytic Capacitors 电容:150 uF 电压额定值 DC:35 VDC 容差:20 % ESR:80 mOhms 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 105 C 直径:8 mm 长度:10.5 mm 高度:10.2 mm 寿命:2000 Hour 纹波电流:850 mA 资格:AEC-Q200 端接类型:SMD/SMT 商标:Panasonic 漏泄电流:52.5 uA 产品类型:Electrolytic Capacitors 工厂包装数量:500 子类别:Capacitors
先进的电源管理能力，代表这款切换器符合最严格的节能要求。在热插入埠未使用时，将维持在低功耗状态。在满载条件和 80°C 的接面温度下，PI7C9X3G808GP 的功耗仅为 2.9W。
Diodes Incorporated 的PI7C9X3G808GP采用196球BGA格式高效能覆晶封装方式，尺寸为 15mm x 15mm。
650 V功率GaN FET器件系列开始批量供货。与之前的技术和竞争对手器件相比，新款器件具有显著的性能优势。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
数据包切换器支持 8 通道操作，支持 2、3、4、5和 8 端口配置。可利用直通 (cut-through) 及储存和转发 (store and forward) 模式，支持小于 150ns (典型值) 的数据包转发延迟。
PI7C9X3G808GP 数据包切换器采用专有架构，提供更优秀的灵活性和效能表现。
可提供多种端口/信道宽度组合，以及跨网域端点 (CDEP) 安排。PI7C9X3G808GP 藉由这项 CDEP 功能支持扇出与双主机连接。
内建的 PCIe 3.0 时钟缓冲器可以减少零组件的整体使用数量，有助于降低 BOM 成本。
制造商:Panasonic 产品种类:铝质电解电容器-SMD RoHS: 详细信息 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 系列:FP-V High 产品:High Temp Electrolytic Capacitors 电容:150 uF 电压额定值 DC:35 VDC 容差:20 % ESR:80 mOhms 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 105 C 直径:8 mm 长度:10.5 mm 高度:10.2 mm 寿命:2000 Hour 纹波电流:850 mA 资格:AEC-Q200 端接类型:SMD/SMT 商标:Panasonic 漏泄电流:52.5 uA 产品类型:Electrolytic Capacitors 工厂包装数量:500 子类别:Capacitors
先进的电源管理能力，代表这款切换器符合最严格的节能要求。在热插入埠未使用时，将维持在低功耗状态。在满载条件和 80°C 的接面温度下，PI7C9X3G808GP 的功耗仅为 2.9W。
Diodes Incorporated 的PI7C9X3G808GP采用196球BGA格式高效能覆晶封装方式，尺寸为 15mm x 15mm。
650 V功率GaN FET器件系列开始批量供货。与之前的技术和竞争对手器件相比，新款器件具有显著的性能优势。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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