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100V和650V产品32级FIFO和运动/活动检测功能

发布时间:2021/6/8 12:24:59 访问次数:202

加速度计允许用户选择量程,满量程为±2g、±4g、±8g和±16g,输出数据速率(ODR) 可在1.6Hz-1.6kHz范围内设置,并内置可配置数字低通/高通滤波器。

在高性能模式下,典型噪声密度为90μg/√Hz,工作电流为3V 110μA;在1.6Hz低功耗模式下,工作电流为3V为0.67μA。该产品内置32级FIFO和运动/活动检测功能,有助于严格控制系统级功耗。

AIS2IH通过了AEC-Q100汽车标准认证,现在开始提供工程样片,芯片封装是采用Wettable Flank结构的2mm x 2mm LGA封装。

制造商:Texas Instruments 产品种类:音频放大器 系列: 产品:Audio Amplifiers 安装风格:Through Hole 类型:Dual 封装 / 箱体:TO-99 THD + 噪声:0.00003 % 电源电压-最大:34 V 电源电压-最小:5 V 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tray 高度:4.45 mm 长度:9.14 mm 输出电流:26 mA 电源类型:Dual 宽度:9.14 mm 商标:Texas Instruments 通道数量:2 Channel CMRR - 共模抑制比:110 dB to 120 dB 开发套件:LME49720MABD 双重电源电压:+/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V, +/- 12 V, +/- 15 V GBP-增益带宽产品:55 MHz Ib - 输入偏流:72 nA 最大双重电源电压:+/- 17 V 最小双重电源电压:+/- 2.5 V 工作电源电流:5 mA 工作电源电压:2.5 V to 17 V 产品类型:Audio Amplifiers PSRR - 电源抑制比:110 dB SR - 转换速率 :20 V/us 20 子类别:Audio ICs Vos - 输入偏置电压 :0.7 mV 单位重量:217 mg

利用GaN技术的高功率密度和高能效,为市场提供一系列独一无二的可扩展、紧凑、高性能的100V和650V产品。

基于意法半导体丰富的汽车应用研发经验、在智能功率技术、宽带隙半导体材料和封装技术领域的领先优势和创新成果,STi2GaN系列采用GaN技术单片整合功率级以及驱动和保护电路,并通过系统级封装(SiP)解决方案增加了数据处理和控制电路,满足市场对特殊用途专用芯片的需求。


STi2GaN系列智能集成氮化镓(GaN)解决方案。

加速度计允许用户选择量程,满量程为±2g、±4g、±8g和±16g,输出数据速率(ODR) 可在1.6Hz-1.6kHz范围内设置,并内置可配置数字低通/高通滤波器。

在高性能模式下,典型噪声密度为90μg/√Hz,工作电流为3V 110μA;在1.6Hz低功耗模式下,工作电流为3V为0.67μA。该产品内置32级FIFO和运动/活动检测功能,有助于严格控制系统级功耗。

AIS2IH通过了AEC-Q100汽车标准认证,现在开始提供工程样片,芯片封装是采用Wettable Flank结构的2mm x 2mm LGA封装。

制造商:Texas Instruments 产品种类:音频放大器 系列: 产品:Audio Amplifiers 安装风格:Through Hole 类型:Dual 封装 / 箱体:TO-99 THD + 噪声:0.00003 % 电源电压-最大:34 V 电源电压-最小:5 V 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tray 高度:4.45 mm 长度:9.14 mm 输出电流:26 mA 电源类型:Dual 宽度:9.14 mm 商标:Texas Instruments 通道数量:2 Channel CMRR - 共模抑制比:110 dB to 120 dB 开发套件:LME49720MABD 双重电源电压:+/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V, +/- 12 V, +/- 15 V GBP-增益带宽产品:55 MHz Ib - 输入偏流:72 nA 最大双重电源电压:+/- 17 V 最小双重电源电压:+/- 2.5 V 工作电源电流:5 mA 工作电源电压:2.5 V to 17 V 产品类型:Audio Amplifiers PSRR - 电源抑制比:110 dB SR - 转换速率 :20 V/us 20 子类别:Audio ICs Vos - 输入偏置电压 :0.7 mV 单位重量:217 mg

利用GaN技术的高功率密度和高能效,为市场提供一系列独一无二的可扩展、紧凑、高性能的100V和650V产品。

基于意法半导体丰富的汽车应用研发经验、在智能功率技术、宽带隙半导体材料和封装技术领域的领先优势和创新成果,STi2GaN系列采用GaN技术单片整合功率级以及驱动和保护电路,并通过系统级封装(SiP)解决方案增加了数据处理和控制电路,满足市场对特殊用途专用芯片的需求。


STi2GaN系列智能集成氮化镓(GaN)解决方案。

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