eGaN FET和集成电路提高48V/12V转换器的功率密度
发布时间:2021/6/4 21:11:02 访问次数:198
多路模式的最大无线电带宽间隔是1.2GHz.
器件具有FDD和TDD单和多波段无线电,Tx/Rx通路带宽高达1.6 GHz/2 GHz (4T4R). 4D4A (4 × 3 GSPS 到12 GSPS DAC和4 × 1.5 GSPS到4 GSPS ADC).
支持发送器IQ输入数据速率高达1.5Gbps,支持接收器IQ输出数据速率高达2Gbps.
RF DAC/RF ADC输出/输入−3 dB带宽 5.2 GHz 和7.5 GHz.器件的典型功耗为6W到7W,采用15 mm × 15 mm BGA封装.
EPC9149采用4个用于一次侧同步整流、额定电压为100 V的EPC2218 ，以及采用8个用于二次侧同步整流、40 V的EPC2024器件。
输入电压在48V至12V时的峰值效率为98％，在提供1 kW功率、12 V时的满载效率为97％。在最大负载和400 LFM气流下，最高稳态工作温度为88°C，最高结温为95°C。
eGaN FET和集成电路提高了48 V/12 V转换器的功率密度，并满足了数据中心对于小尺寸、更高功率的应用需求。Microchip数字控制器使得EPC9149演示板可灵活地进行编程和配置。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
多路模式的最大无线电带宽间隔是1.2GHz.
器件具有FDD和TDD单和多波段无线电,Tx/Rx通路带宽高达1.6 GHz/2 GHz (4T4R). 4D4A (4 × 3 GSPS 到12 GSPS DAC和4 × 1.5 GSPS到4 GSPS ADC).
支持发送器IQ输入数据速率高达1.5Gbps,支持接收器IQ输出数据速率高达2Gbps.
RF DAC/RF ADC输出/输入−3 dB带宽 5.2 GHz 和7.5 GHz.器件的典型功耗为6W到7W,采用15 mm × 15 mm BGA封装.
EPC9149采用4个用于一次侧同步整流、额定电压为100 V的EPC2218 ，以及采用8个用于二次侧同步整流、40 V的EPC2024器件。
输入电压在48V至12V时的峰值效率为98％，在提供1 kW功率、12 V时的满载效率为97％。在最大负载和400 LFM气流下，最高稳态工作温度为88°C，最高结温为95°C。
eGaN FET和集成电路提高了48 V/12 V转换器的功率密度，并满足了数据中心对于小尺寸、更高功率的应用需求。Microchip数字控制器使得EPC9149演示板可灵活地进行编程和配置。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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