开态(ON)电阻和芯片尺寸保证低的电容和栅极电容
发布时间:2021/6/3 13:25:14 访问次数:698
900V 46A碳化硅(SiC)功率MOSFET.和硅器件相比,SiC MOSFET具有优越的开关性能和更高的可靠性.更低的开态(ON)电阻和紧凑的芯片尺寸,保证有更低的电容和栅极电容.
SiC MOSFET系统具有最高的效率,更快的工作频率,较高的功率密度,从而降低了EMI和系统尺寸.
板上辅助电源系统提供了板上所需的所有电源,从而不需要板外DC电源.同时还提供灵活的控制接口,以适应不同的控制器板.
主要用在汽车车载充电器和EV/HEV汽车DC/DC转换器.
制造商:Panasonic 产品种类:铝质电解电容器-SMD RoHS: 详细信息 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 系列:HB-V 产品:Aluminum Electrolytic Capacitors 电容:220 uF 电压额定值 DC:4 VDC 容差:20 % 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 105 C 直径:6.3 mm 长度:5.5 mm 高度:7.8 mm 寿命:2000 Hour 纹波电流:82 mA 资格:AEC-Q200 端接类型:SMD/SMT 商标:Panasonic 产品类型:Electrolytic Capacitors 工厂包装数量:1000 子类别:Capacitors 单位重量:320 mg
模数转换器(ADC),数模转换器(DAC)和用于提供各种数字控制选项的通用输入/输出 (GPIO)接口.
器件的中心频率为75 MHz至6000 MHz,最大接收器带宽为200 MHz,最大发射器大信号带宽为200 MHz,最大发射器频率合成带宽为450 MHz和最大观测接收器带宽为450 MHz.
具有完全集成式独立小数N分频射频频率合成器.器件有1.0V,1.3V和1.8V稳压器供电.
采用14 mm × 14 mm289引脚芯片级球栅阵列 (CSP_BGA) 封装.主要用在3G/4G/5G TDD 和 FDD 大规模 MIMO,宏蜂窝和小型蜂窝基站.
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
900V 46A碳化硅(SiC)功率MOSFET.和硅器件相比,SiC MOSFET具有优越的开关性能和更高的可靠性.更低的开态(ON)电阻和紧凑的芯片尺寸,保证有更低的电容和栅极电容.
SiC MOSFET系统具有最高的效率,更快的工作频率,较高的功率密度,从而降低了EMI和系统尺寸.
板上辅助电源系统提供了板上所需的所有电源,从而不需要板外DC电源.同时还提供灵活的控制接口,以适应不同的控制器板.
主要用在汽车车载充电器和EV/HEV汽车DC/DC转换器.
制造商:Panasonic 产品种类:铝质电解电容器-SMD RoHS: 详细信息 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 系列:HB-V 产品:Aluminum Electrolytic Capacitors 电容:220 uF 电压额定值 DC:4 VDC 容差:20 % 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 105 C 直径:6.3 mm 长度:5.5 mm 高度:7.8 mm 寿命:2000 Hour 纹波电流:82 mA 资格:AEC-Q200 端接类型:SMD/SMT 商标:Panasonic 产品类型:Electrolytic Capacitors 工厂包装数量:1000 子类别:Capacitors 单位重量:320 mg
模数转换器(ADC),数模转换器(DAC)和用于提供各种数字控制选项的通用输入/输出 (GPIO)接口.
器件的中心频率为75 MHz至6000 MHz,最大接收器带宽为200 MHz,最大发射器大信号带宽为200 MHz,最大发射器频率合成带宽为450 MHz和最大观测接收器带宽为450 MHz.
具有完全集成式独立小数N分频射频频率合成器.器件有1.0V,1.3V和1.8V稳压器供电.
采用14 mm × 14 mm289引脚芯片级球栅阵列 (CSP_BGA) 封装.主要用在3G/4G/5G TDD 和 FDD 大规模 MIMO,宏蜂窝和小型蜂窝基站.
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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