双反应台腔体设计和低电容耦合3D线圈设计
发布时间:2021/5/28 20:28:21 访问次数:184
低边驱动器用在控制芯片与功率MOSFET之间,以帮助减小开关损耗,并为MOSFET提供足够的驱动电流,以跨过米勒平台区域,实现快速打开。
从上面等式可以看出,负向电压与寄生电感和电流变化率均成正比。
在开关MOSFET的时候,有一个高di/dt的脉冲产生,这种快速变化与寄生电感共同作用,产生了负电压峰值,可以用Vn = Lss* di/dt公式估算。
防止驱动器输入端的过冲和欠压尖峰过大,而对驱动芯片造成损坏,或产生误动作。
制造商:MaxLinear产品种类:RS-232接口集成电路RoHS: 安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SSOP-28系列:功能:Transceiver数据速率:120 kb/s激励器数量:4 Driver接收机数量:5 Receiver双工:Full Duplex电源电压-最大:5.5 V电源电压-最小:4.5 V工作电源电流:15 mA最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 CESD 保护:15 kV封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel高度:1.75 mm长度:10.2 mm输出电流:25 mA产品:RS-232 Transceivers电源类型:Single Supply类型:Low Power宽度:5.3 mm商标:MaxLinear关闭:With Shutdown湿度敏感性:Yes工作电源电压:5 VPd-功率耗散:900 mW产品类型:RS-232 Interface IC传播延迟时间:1.5 us, 0.15 us支持协议:RS-2321500子类别:Interface ICs商标名:零件号别名:SP213E单位重量:710 mg
它的创新设计包括:Primo Twin-Star®使用了双反应台腔体设计和低电容耦合3D线圈设计,创新的反应腔设计可最大程度减弱非中心对称抽气口效应,通过采用多区温控静电吸盘(ESC)增强了对关键尺寸均匀性和重复性的控制。
凭借这些优异的性能和其他特性,与其他同类设备相比,Primo Twin-Star® 以更小的占地面积、更低的生产成本和更高的输出效率,进行ICP适用的逻辑和存储芯片的介质和导体的各种刻蚀应用,并用于功率器件和CMOS图像传感器(CIS)的刻蚀应用。
(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)
低边驱动器用在控制芯片与功率MOSFET之间,以帮助减小开关损耗,并为MOSFET提供足够的驱动电流,以跨过米勒平台区域,实现快速打开。
从上面等式可以看出,负向电压与寄生电感和电流变化率均成正比。
在开关MOSFET的时候,有一个高di/dt的脉冲产生,这种快速变化与寄生电感共同作用,产生了负电压峰值,可以用Vn = Lss* di/dt公式估算。
防止驱动器输入端的过冲和欠压尖峰过大,而对驱动芯片造成损坏,或产生误动作。
制造商:MaxLinear产品种类:RS-232接口集成电路RoHS: 安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SSOP-28系列:功能:Transceiver数据速率:120 kb/s激励器数量:4 Driver接收机数量:5 Receiver双工:Full Duplex电源电压-最大:5.5 V电源电压-最小:4.5 V工作电源电流:15 mA最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 CESD 保护:15 kV封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel高度:1.75 mm长度:10.2 mm输出电流:25 mA产品:RS-232 Transceivers电源类型:Single Supply类型:Low Power宽度:5.3 mm商标:MaxLinear关闭:With Shutdown湿度敏感性:Yes工作电源电压:5 VPd-功率耗散:900 mW产品类型:RS-232 Interface IC传播延迟时间:1.5 us, 0.15 us支持协议:RS-2321500子类别:Interface ICs商标名:零件号别名:SP213E单位重量:710 mg
它的创新设计包括:Primo Twin-Star®使用了双反应台腔体设计和低电容耦合3D线圈设计,创新的反应腔设计可最大程度减弱非中心对称抽气口效应,通过采用多区温控静电吸盘(ESC)增强了对关键尺寸均匀性和重复性的控制。
凭借这些优异的性能和其他特性,与其他同类设备相比,Primo Twin-Star® 以更小的占地面积、更低的生产成本和更高的输出效率,进行ICP适用的逻辑和存储芯片的介质和导体的各种刻蚀应用,并用于功率器件和CMOS图像传感器(CIS)的刻蚀应用。
(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)