偏置电阻和发射极电阻VCSEL技术来实现车内传感应用
发布时间:2021/5/27 21:40:10 访问次数:305
在与晶体管相同的SOT23 (250 mW Ptot)或SOT323 (235 mW Ptot)封装中组合偏置电阻和偏置发射极电阻，RET可以节省空间并降低制造成本。
SOT363封装还提供双RET（两个晶体管和两个匹配偏置电阻和偏置发射极电阻）， Ptot为350 mW，可实现更高集成度并节省更多成本。
通过采用1200V Wolfspeed® MOSFET 技术，该新型模块在简单易用的封装内实现效率最佳化，从而帮助设计人员开发出尺寸更小、扩展性更好的电源系统，并显著提升其效率和性能。
制造商:Silicon Laboratories产品种类:输入/输出控制器接口集成电路RoHS: 安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:QFN-24系列:工作电源电压:3.3 V最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C封装:Tube高度:0.75 mm长度:4 mm宽度:4 mm商标:Silicon Labs产品类型:I/O Controller Interface IC91子类别:Interface ICs单位重量:38.790 mg
汽车OEM厂商将会更有信心采用卓越的VCSEL技术来实现车内传感应用。
对TARA2000-AUT光学特性的技术评估表明，其高输出功率均匀地分布于整个FOI，具有很高的信噪比并提供高质量图像，因此能够尽可能减少应用环境所需的照明器数量。
我们的解决方案还具有出色的热性能，可确保在所有温度下稳定运行而不会损失光功率，并且无需其他散热措施。
利用TARA2000-AUT，汽车制造商可以开发出系统成本更低而性能更佳的车内传感器。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
在与晶体管相同的SOT23 (250 mW Ptot)或SOT323 (235 mW Ptot)封装中组合偏置电阻和偏置发射极电阻，RET可以节省空间并降低制造成本。
SOT363封装还提供双RET（两个晶体管和两个匹配偏置电阻和偏置发射极电阻）， Ptot为350 mW，可实现更高集成度并节省更多成本。
通过采用1200V Wolfspeed® MOSFET 技术，该新型模块在简单易用的封装内实现效率最佳化，从而帮助设计人员开发出尺寸更小、扩展性更好的电源系统，并显著提升其效率和性能。
制造商:Silicon Laboratories产品种类:输入/输出控制器接口集成电路RoHS: 安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:QFN-24系列:工作电源电压:3.3 V最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C封装:Tube高度:0.75 mm长度:4 mm宽度:4 mm商标:Silicon Labs产品类型:I/O Controller Interface IC91子类别:Interface ICs单位重量:38.790 mg
汽车OEM厂商将会更有信心采用卓越的VCSEL技术来实现车内传感应用。
对TARA2000-AUT光学特性的技术评估表明，其高输出功率均匀地分布于整个FOI，具有很高的信噪比并提供高质量图像，因此能够尽可能减少应用环境所需的照明器数量。
我们的解决方案还具有出色的热性能，可确保在所有温度下稳定运行而不会损失光功率，并且无需其他散热措施。
利用TARA2000-AUT，汽车制造商可以开发出系统成本更低而性能更佳的车内传感器。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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