MPEG-4数字视频与500MHz的电脑转换1盘录像带
发布时间:2021/5/23 11:56:56 访问次数:513
台式机处理器-2.8 GHz新款英特尔奔腾4处理器。
凭借2.8 GHz的主频,这款全新处理器可为消费者带来更丰富的PC体验,其中包括宽带音频与视频内容、游戏、音乐、照片和电影等,同时,基于高性能奔腾4处理器的PC机也是对儿童教育的重要投资。
对商业用户而言,高性能电脑有助于在多任务环境中最大限度提高生产力。
采用奔腾4 2.8 GHz处理器的电脑将5盘录像带(每盘1个小时)转为MPEG-4数字视频所需的时间与500 MHz 的电脑转换1盘录像带的时间相同。
制造商:Broadcom Limited产品种类:射频放大器RoHS: 详细信息安装风格:SMD/SMT类型:General Purpose Amplifiers技术:Si工作频率:25 GHz增益:9 dB工作电源电压:8.6 VOIP3 - 三阶截点:25 dBm工作电源电流:80 mA最大工作温度:+ 200 C系列:MSA封装:Bulk商标:Broadcom / Avago通道数量:1 ChannelPd-功率耗散:750 mW产品类型:RF Amplifier工厂包装数量:100子类别:Wireless & RF Integrated Circuits电源电压-最大:8.6 V电源电压-最小:7 V制造商:Broadcom Limited产品种类:射频放大器RoHS: 详细信息安装风格:SMD/SMT类型:General Purpose Amplifiers技术:Si工作频率:25 GHz增益:9 dB工作电源电压:8.6 VOIP3 - 三阶截点:25 dBm工作电源电流:80 mA最大工作温度:+ 200 C系列:MSA封装:Bulk商标:Broadcom / Avago通道数量:1 ChannelPd-功率耗散:750 mW产品类型:RF Amplifier工厂包装数量:100子类别:Wireless & RF Integrated Circuits电源电压-最大:8.6 V电源电压-最小:7 V
X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)今日宣布,推出最新一代的雪崩光电二极管(APD)和单光子雪崩二极管(SPAD)器件。
X-FAB全新APD和SPAD采用其成熟且通过汽车认证的180nm XH018高压工艺。
得益于创新的架构改进,其与该公司的早期器件(最初于2019年中期发布)相比,性能得到显著提升,因此可用于光照强度极具挑战性的场景。同时,新器件与上一代的外形与连接兼容性得到保留,从而确保了简单便捷的升级途径,而无需额外的工程工作。
台式机处理器-2.8 GHz新款英特尔奔腾4处理器。
凭借2.8 GHz的主频,这款全新处理器可为消费者带来更丰富的PC体验,其中包括宽带音频与视频内容、游戏、音乐、照片和电影等,同时,基于高性能奔腾4处理器的PC机也是对儿童教育的重要投资。
对商业用户而言,高性能电脑有助于在多任务环境中最大限度提高生产力。
采用奔腾4 2.8 GHz处理器的电脑将5盘录像带(每盘1个小时)转为MPEG-4数字视频所需的时间与500 MHz 的电脑转换1盘录像带的时间相同。
制造商:Broadcom Limited产品种类:射频放大器RoHS: 详细信息安装风格:SMD/SMT类型:General Purpose Amplifiers技术:Si工作频率:25 GHz增益:9 dB工作电源电压:8.6 VOIP3 - 三阶截点:25 dBm工作电源电流:80 mA最大工作温度:+ 200 C系列:MSA封装:Bulk商标:Broadcom / Avago通道数量:1 ChannelPd-功率耗散:750 mW产品类型:RF Amplifier工厂包装数量:100子类别:Wireless & RF Integrated Circuits电源电压-最大:8.6 V电源电压-最小:7 V制造商:Broadcom Limited产品种类:射频放大器RoHS: 详细信息安装风格:SMD/SMT类型:General Purpose Amplifiers技术:Si工作频率:25 GHz增益:9 dB工作电源电压:8.6 VOIP3 - 三阶截点:25 dBm工作电源电流:80 mA最大工作温度:+ 200 C系列:MSA封装:Bulk商标:Broadcom / Avago通道数量:1 ChannelPd-功率耗散:750 mW产品类型:RF Amplifier工厂包装数量:100子类别:Wireless & RF Integrated Circuits电源电压-最大:8.6 V电源电压-最小:7 V
X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)今日宣布,推出最新一代的雪崩光电二极管(APD)和单光子雪崩二极管(SPAD)器件。
X-FAB全新APD和SPAD采用其成熟且通过汽车认证的180nm XH018高压工艺。
得益于创新的架构改进,其与该公司的早期器件(最初于2019年中期发布)相比,性能得到显著提升,因此可用于光照强度极具挑战性的场景。同时,新器件与上一代的外形与连接兼容性得到保留,从而确保了简单便捷的升级途径,而无需额外的工程工作。