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功率MOSFET内部键合线和PCB回线接地回路中电感量之和

发布时间:2021/5/19 8:57:11 访问次数:851

输入负压的场景与对MOSFET进行电流采样相关。

使MOSFET的驱动环路足够小,会将驱动器的GND引脚与MOSFET的源极连接在一起,而控制芯片的GND与真正的地平面在一起,这样驱动器的GND和控制芯片GND之间就会存在一个偏置电压,因此控制芯片输出低电平时,相对于驱动器的输入端,则有一个负向的偏置电压。

对于寄生电感引起的输入瞬间负压,可以通过减小开关速度来降低影响,减小开关速度能降低电流变化速率di/dt,瞬间负压幅度也就会下降。

制造商:Texas Instruments 产品种类:运算放大器 - 运放 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-14 每个通道的输出电流:25 mA Vos - 输入偏置电压 :6 mV 最小工作温度:0 C 最大工作温度:+ 70 C Ib - 输入偏流:200 nA 工作电源电流:2.4 mA CMRR - 共模抑制比:90 dB 系列: 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 高度:1.45 mm 长度:8.64 mm 产品:Operational Amplifiers 电源类型:Dual 技术:Bipolar 宽度:3.91 mm 商标:Texas Instruments In—输入噪声电流密度:0.52 pA/sqrt Hz 最大双重电源电压:+/- 18 V 最小双重电源电压:+/- 5 V 工作电源电压:10 V to 36 V, +/- 5 V to +/- 18 V 产品类型:Op Amps - Operational Amplifiers 2500 子类别:Amplifier ICs 电压增益 dB:104.08 dB 单位重量:715.250 mg

Lss代表寄生电感。寄生电感值约等于功率MOSFET的内部键合线和PCB回线接地回路中的电感量之和,其值可以从几nH至十几nH不等,寄生电感大小主要取决于PCB布局布线。

从上面等式可以看出,负向电压与寄生电感和电流变化率均成正比。

这款高性能的二阶调制器能将模拟输入信号转换为高速、单比特的数据流,并且芯片内置了采用Analog Devices iCoupler®技术的数字隔离功能。

ADuM7704 Sigma-Delta调制器。


(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

输入负压的场景与对MOSFET进行电流采样相关。

使MOSFET的驱动环路足够小,会将驱动器的GND引脚与MOSFET的源极连接在一起,而控制芯片的GND与真正的地平面在一起,这样驱动器的GND和控制芯片GND之间就会存在一个偏置电压,因此控制芯片输出低电平时,相对于驱动器的输入端,则有一个负向的偏置电压。

对于寄生电感引起的输入瞬间负压,可以通过减小开关速度来降低影响,减小开关速度能降低电流变化速率di/dt,瞬间负压幅度也就会下降。

制造商:Texas Instruments 产品种类:运算放大器 - 运放 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-14 每个通道的输出电流:25 mA Vos - 输入偏置电压 :6 mV 最小工作温度:0 C 最大工作温度:+ 70 C Ib - 输入偏流:200 nA 工作电源电流:2.4 mA CMRR - 共模抑制比:90 dB 系列: 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 高度:1.45 mm 长度:8.64 mm 产品:Operational Amplifiers 电源类型:Dual 技术:Bipolar 宽度:3.91 mm 商标:Texas Instruments In—输入噪声电流密度:0.52 pA/sqrt Hz 最大双重电源电压:+/- 18 V 最小双重电源电压:+/- 5 V 工作电源电压:10 V to 36 V, +/- 5 V to +/- 18 V 产品类型:Op Amps - Operational Amplifiers 2500 子类别:Amplifier ICs 电压增益 dB:104.08 dB 单位重量:715.250 mg

Lss代表寄生电感。寄生电感值约等于功率MOSFET的内部键合线和PCB回线接地回路中的电感量之和,其值可以从几nH至十几nH不等,寄生电感大小主要取决于PCB布局布线。

从上面等式可以看出,负向电压与寄生电感和电流变化率均成正比。

这款高性能的二阶调制器能将模拟输入信号转换为高速、单比特的数据流,并且芯片内置了采用Analog Devices iCoupler®技术的数字隔离功能。

ADuM7704 Sigma-Delta调制器。


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