双反应台腔体设计和低电容耦合3D线圈的反应腔设计

发布时间:2021/5/18 12:35:59 访问次数:243

电感耦合等离子体(ICP)刻蚀设备Primo Twin-Star®,用于IC器件前道和后道制程导电/电介质膜的刻蚀应用。

单台反应器的电感耦合等离子体（ICP）刻蚀技术和双台反应器的Primo平台，Primo Twin-Star®为电介质前道/后道制程、多晶硅刻蚀、DTI和BSI刻蚀等提供了高性价比的刻蚀解决方案。

它的创新设计包括：Primo Twin-Star®使用了双反应台腔体设计和低电容耦合3D线圈设计，创新的反应腔设计可最大程度减弱非中心对称抽气口效应，通过采用多区温控静电吸盘（ESC）增强了对关键尺寸均匀性和重复性的控制。

制造商:Texas Instruments 产品种类:运算放大器 - 运放安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 每个通道的输出电流:20 mA Vos - 输入偏置电压 :7 mV 最小工作温度:0 C 最大工作温度:+ 70 C Ib - 输入偏流:250 nA CMRR - 共模抑制比:80 dB 系列: 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 放大器类型:Low Power Amplifier 输入类型:Rail-to-Rail 产品:Operational Amplifiers 电源类型:Single, Dual 商标:Texas Instruments 最小双重电源电压:+/- 1.5 V 工作电源电压:3 V to 32 V, +/- 1.5 V to +/- 16 V 产品类型:Op Amps - Operational Amplifiers 2500 子类别:Amplifier ICs Vcm - 共模电压:3 V to 32 V 单位重量:180 mg

在优化DDR5 DRAM内核运算能力上，Longsys DDR5增加内置纠错码（ECC），全面实现数据纠错能力，进一步提高数据完整性，同时也缓解了系统错误校正负担并充分利用DRAM读写的高效机制。

BL16使得Longsys DDR5内存的并发性在DDR4的基础上提升了一倍，信号能够更完整高效地传递。本次DDR5 DIMM新架构采用了两个完全独立的32位通道，提高了并发性，并使系统中可用的内存通道增加了一倍。

在DDR5新技术应用中除了DQ/DQS/DM继续采用ODT功能，增加CA、CS类信号也使用了ODT。

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）

电感耦合等离子体(ICP)刻蚀设备Primo Twin-Star®,用于IC器件前道和后道制程导电/电介质膜的刻蚀应用。

在DDR5新技术应用中除了DQ/DQS/DM继续采用ODT功能，增加CA、CS类信号也使用了ODT。

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双反应台腔体设计和低电容耦合3D线圈的反应腔设计

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