STi2GaN延续了ST长期以来在复合材料和智能功率产品创新方面的成功经验，主要应用包括汽车以及需要高密度、高可靠性和高功率的电源。

率先推出的STi2GaN解决方案组合适用于车载充电器、自动驾驶激光雷达(LiDAR)、双向直流-直流(DC-DC)转换器、D类放大器和电源变换系统。

新系列产品旨在利用GaN技术的高功率密度和高能效，为市场提供一系列独一无二的可扩展、紧凑、高性能的100V和650V产品。

制造商:Diodes Incorporated 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-363-6 晶体管极性:N-Channel 通道数量:2 Channel Vds-漏源极击穿电压:50 V Id-连续漏极电流:200 mA Rds On-漏源导通电阻:3.5 Ohms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:500 mV 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:200 mW 通道模式:Enhancement 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 配置:Dual 高度:1 mm 长度:2.2 mm 产品:MOSFET Small Signal 系列: 晶体管类型:2 N-Channel 宽度:1.35 mm 商标:Diodes Incorporated 正向跨导 - 最小值:100 mS 产品类型:MOSFET 3000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:20 ns 典型接通延迟时间:20 ns 单位重量:6 mg

而且整体系统成本更低。此外，氮化镓场效应晶体管的卓越效率和散热性能实现空气冷却而不是水冷却，而且小型化的氮化镓场效应晶体管大大减少铝片所散出的热量，从而进一步节省系统成本。

EPC9137演示板最能体现氮化镓场效应晶体管的优越性能，可增加频率和提高效率，从而缩小电感的尺寸、减少相位和提高功率密度。