新一代nvSRAM扩展了英飞凌在电荷阱型存储器领域的领导地位。

nvSRAM系列中新增的这些符合QML-Q规范的高可靠性工业用器件证明了我们致力于为需要高性能、高可靠性存储器的恶劣工作环境提供解决方案。

英飞凌的nvSRAM技术将高性能SRAM与一流的SONOS非易失性技术相结合。

在正常工作条件下，nvSRAM的作用类似于传统的异步SRAM。断电时，nvSRAM会自动将SRAM数据的副本保存到非易失性存储器中，该数据的保护期限超过20年。

FET 类型P 通道技术MOSFET（金属氧化物）25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)17.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）6.5 毫欧 @ 13A，10V不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）2.8V @ 250μAVgs（最大值）±25VFET 功能-功率耗散（最大值）3.1W（Ta），6.9W（Tc）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装型供应商器件封装8-SO封装/外壳8-SOIC（0.154""，3.90mm 宽）漏源电压（Vdss）30V不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）153nC @ 10V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）4620pF @ 15V

新款67-1-C高压舌簧继电器提供的是一个现成的解决方案，可以方便地集成到新的高压设计中，并可大量节省PCB面积。

新款转换继电器尺寸为67系列的标准尺寸，仅为58.4 x 12.6mm，提供5V、12V或24V三种线圈电压选择，并且提供从PCB到开关和线圈的连接。

“S-5701 B系列”表面贴装隧道磁阻(TMR)传感器IC，这款磁传感器IC具有超低电流消耗、高磁灵敏度、长寿命的特点，工作电流消耗仅为160nA。