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LED探照灯恒流负载供电的隔离DC-DC对应级小

发布时间:2021/5/7 12:43:58 访问次数:181

75V的供电网络中,依据 IEC 的 110VDC SELV(安全超低电压)范围内使用宽输入电压范围的降压及升降压稳压器。

这允许低电压机器人功率转换级比它们的隔离DC-DC对应级小,和/或适应在更大或更小平台上使用的更高或更低电池电压。

使用固定比率转换器来有效提高或降低电源电压,并在相同的PDN内增强其动态响应能力,或使其适应更高电压的电源。

制造商:STMicroelectronics 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TO-252-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:900 V Id-连续漏极电流:3 A Rds On-漏源导通电阻:4.8 Ohms Vgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 V Vgs th-栅源极阈值电压:3 V Qg-栅极电荷:22.7 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:90 W 通道模式:Enhancement 商标名: 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 配置:Single 高度:2.4 mm 长度:6.6 mm 系列: 晶体管类型:1 N-Channel 类型:MOSFET 宽度:6.2 mm 商标:STMicroelectronics 正向跨导 - 最小值:2.7 S 下降时间:18 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:7 ns 2500 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:45 ns 典型接通延迟时间:18 ns 单位重量:580 mg

这两种电源拓扑的各种供电网络架构可为设计人员实现符合其设计目标的移动系统提供多种选项。

模块化方法的尺寸、重量及性能优势,为高级机器人设计电源系统时,针对每个所需的负载电压简单地重复使用可靠的DC-DC转换器极具诱惑力,因为这种需求以全新的有效载荷形式出现,无论是为LIDAR、GPU、伺服驱动器供电,还是为LED探照灯等恒流负载供电,都是如此。

不断发展的系统复杂性也适时表明了需要对电源需求和架构,使用更高效率的更新非隔离降压或升降压转换器,即使输入电压高于24,也可提高整体系统性能。

(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

75V的供电网络中,依据 IEC 的 110VDC SELV(安全超低电压)范围内使用宽输入电压范围的降压及升降压稳压器。

这允许低电压机器人功率转换级比它们的隔离DC-DC对应级小,和/或适应在更大或更小平台上使用的更高或更低电池电压。

使用固定比率转换器来有效提高或降低电源电压,并在相同的PDN内增强其动态响应能力,或使其适应更高电压的电源。

制造商:STMicroelectronics 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TO-252-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:900 V Id-连续漏极电流:3 A Rds On-漏源导通电阻:4.8 Ohms Vgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 V Vgs th-栅源极阈值电压:3 V Qg-栅极电荷:22.7 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:90 W 通道模式:Enhancement 商标名: 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 配置:Single 高度:2.4 mm 长度:6.6 mm 系列: 晶体管类型:1 N-Channel 类型:MOSFET 宽度:6.2 mm 商标:STMicroelectronics 正向跨导 - 最小值:2.7 S 下降时间:18 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:7 ns 2500 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:45 ns 典型接通延迟时间:18 ns 单位重量:580 mg

这两种电源拓扑的各种供电网络架构可为设计人员实现符合其设计目标的移动系统提供多种选项。

模块化方法的尺寸、重量及性能优势,为高级机器人设计电源系统时,针对每个所需的负载电压简单地重复使用可靠的DC-DC转换器极具诱惑力,因为这种需求以全新的有效载荷形式出现,无论是为LIDAR、GPU、伺服驱动器供电,还是为LED探照灯等恒流负载供电,都是如此。

不断发展的系统复杂性也适时表明了需要对电源需求和架构,使用更高效率的更新非隔离降压或升降压转换器,即使输入电压高于24,也可提高整体系统性能。

(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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