器件可在+175 °C高温下工作，满足反向极性保护、电池管理、高边负载开关和LED照明等汽车应用牢固性和可靠性要求。

器件80 V额定电压满足12 V、24 V和48 V系统多种常用输入电压轨所需安全裕度。MOSFET提高了功率密度，从而减少需要并联的元器件数量，节省PCB空间。

分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

包装

卷带（TR）

剪切带（CT）

Digi-Reel®

零件状态

有源

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

46A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

9.9 毫欧 @ 20A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.3V @ 14μA

Vgs（最大值）

±20V

FET 功能

标准

功率耗散（最大值）

36W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TSDSON-8-FL

封装/外壳

8-PowerTDFN

漏源电压（Vdss）

60V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

3.1nC @ 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

1300pF @ 30V

基本产品编号

BSZ099

集成式有源EMI滤波器有助于检测并降低150 kHz至10 MHz低频频带上的传导EMI，从而使工程师能够将EMI减少高达50 dBμV（在440 kHz的开关频率下，相对于禁用AEF的设计）或20 dBμV（相对于采用典型无源滤波器的设计）。

在这两种设计方案中，DRSS技术都有助于在低频和高频频带上将EMI进一步降低5 dBμV。

为了进一步降低EMI，这两款降压控制器的工作频率均与外部时钟同步，从而帮助工程师在EMI敏感型应用中降低不良拍频。