高压功率MOSFET开关和电源控制器组合在同一器件
发布时间:2021/4/28 18:24:58 访问次数:655
LinkSwitch-XT2系列是能效低功耗电源离线开关器,集成了725V/900V功率MOSFET,振荡器,简化ON/OFF控制方案,高压开关电流源,频率抖动,逐个周期的电流限制和热关断电路.起动和工作功率直接从DRAIN引脚获得,从而不需要偏压线圈和相关电路.
LinkSwitch-XT2系列把高压功率MOSFET开关和电源控制器组合在同一器件.
器件还集成了其它电路用来自动重起.LinkSwitch-XT2系列主要用在反激转换器和家用电器,工业系统和计量仪表的电源.
制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SO-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 2 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 3.5 A
Rds On-漏源导通电阻: 90 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Qg-栅极电荷: 4 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2 W
通道模式: Enhancement
商标名: PowerTrench
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
配置: Dual
高度: 1.75 mm
长度: 4.9 mm
系列: FDS6961A
晶体管类型: 2 N-Channel
类型: MOSFET
宽度: 3.9 mm
商标: ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值: 6 S
下降时间: 3 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 11 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 7 ns
典型接通延迟时间: 3 ns
零件号别名: FDS6961A_NL
单位重量: 230.400 mg
Si823Hx系列是4A对称隔离栅极驱动器,包括有单个或双控制输入,独立或高边/低边输出.这些驱动器工作电压3.0V-5.5V VDD,最大驱动电源电压30V.
该器件采用该公司的专有的硅隔离技术,支持高达5 kVRMS 1分钟隔离电压.
该技术具有高CMTI(125 kV/μs),更低传输时延和歪斜,随温度和老化变化不大以及低元件到元件匹配.输出级的独特架构升压器件提供负载功率开关米勒平坦区更高的上拉功能,从而支持更快的开通时间.
(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)
LinkSwitch-XT2系列是能效低功耗电源离线开关器,集成了725V/900V功率MOSFET,振荡器,简化ON/OFF控制方案,高压开关电流源,频率抖动,逐个周期的电流限制和热关断电路.起动和工作功率直接从DRAIN引脚获得,从而不需要偏压线圈和相关电路.
LinkSwitch-XT2系列把高压功率MOSFET开关和电源控制器组合在同一器件.
器件还集成了其它电路用来自动重起.LinkSwitch-XT2系列主要用在反激转换器和家用电器,工业系统和计量仪表的电源.
制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SO-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 2 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 3.5 A
Rds On-漏源导通电阻: 90 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Qg-栅极电荷: 4 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2 W
通道模式: Enhancement
商标名: PowerTrench
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
配置: Dual
高度: 1.75 mm
长度: 4.9 mm
系列: FDS6961A
晶体管类型: 2 N-Channel
类型: MOSFET
宽度: 3.9 mm
商标: ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值: 6 S
下降时间: 3 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 11 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 7 ns
典型接通延迟时间: 3 ns
零件号别名: FDS6961A_NL
单位重量: 230.400 mg
Si823Hx系列是4A对称隔离栅极驱动器,包括有单个或双控制输入,独立或高边/低边输出.这些驱动器工作电压3.0V-5.5V VDD,最大驱动电源电压30V.
该器件采用该公司的专有的硅隔离技术,支持高达5 kVRMS 1分钟隔离电压.
该技术具有高CMTI(125 kV/μs),更低传输时延和歪斜,随温度和老化变化不大以及低元件到元件匹配.输出级的独特架构升压器件提供负载功率开关米勒平坦区更高的上拉功能,从而支持更快的开通时间.
(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)