Arm Cortex®-M7核的消费类电子交叉处理器,工作速率高达600MHz,提供高CPU性能和最好的实时响应.该处理器具有1MB片上RAM,其中的512KB可灵活配置成TCM或通用片上RAM,而其它的512KB是通用片上RAM.

i.MX RT1060集成了先进功率管理模块和DC/DC转换器和LDO,降低了复杂外接电源,简化了加电次序.器件还提供了各种存储器接口,包括SDRAM, RAW NAND FLASH, NORFLASH, SD/eMMC, Quad SPI和各种其它用于连接外设的接口如WLAN, 蓝牙™, GPS, 显示器和照相机传感器.

分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

包装

卷带（TR）

剪切带（CT）

Digi-Reel®

零件状态

有源

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

15A（Ta），50A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

6.7 毫欧 @ 50A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.2V @ 35μA

Vgs（最大值）

±20V

FET 功能

功率耗散（最大值）

2.5W（Ta），69W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TDSON-8-5

封装/外壳

8-PowerTDFN

漏源电压（Vdss）

60V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

67nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

5100pF @ 30V

基本产品编号

BSC067

非侵入式，电隔离、非接触式电流测量

可配置用于读出多个霍尔阵列的高精度线性电流感测或差分无核和杂散场鲁棒电流感测

符合ISO 26262 ASIL-B标准并通过AEC-Q100认证

CUR 4000传感器扩大了其Micronas霍尔效应传感器产品系列。该传感器旨在为汽车和工业应用开发高精度电流测量技术，提供非侵入式、电隔离、非接触式电流感测。

这些特征将有助于混合动力和电动汽车（xEV）高压系统的未来发展。

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）