10MHz-500MHz频率双路通用模拟可变电压衰减器设计用于50欧姆系统
发布时间:2023/6/24 17:04:09 访问次数:100
CISSOID提供的高温芯片和模块技术，已在石油钻探等领域内的长期应用中得到了充分的验证，可以满足业内最苛刻的应用需求。
新型SiC智能功率模块瞄准了航空和其他特殊工业应用，特别针对其中紧凑轻便的功率转换器所要求的自然对流或背板冷却而设计。
CISSOID 独特的耐高温技术平台将大力推动电动汽车动力总成系统的深度整合，以针对电动汽车市场的初期需求。
http://yushuo.51dzw.com深圳市裕硕科技有限公司
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PG-TDSON-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 60 A
Rds On-漏源导通电阻: 9.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.2 V
Qg-栅极电荷: 22 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 69 W
通道模式: Enhancement
商标名: OptiMOS
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
配置: Single
高度: 1.27 mm
长度: 5.9 mm
系列: OptiMOS 5
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 5.15 mm
商标: Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值: 28 S
下降时间: 4 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 5 ns
工厂包装数量: 5000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 17 ns
典型接通延迟时间: 10 ns
零件号别名: BSC098N10NS5 SP001241598
单位重量: 156mm
MAX19794是10MHz-500MHz频率的双路通用模拟可变电压衰减器(VVA),设计用于50欧姆系统,包括专用控制电路,提供22.4dB衰减,典型线性控制斜率为8dB/V.
MAX19794是单片器件,采用该公司的专有的SiGeBiCMOS工艺,工作单5V电压或+3.3V电压.
两个衰减器采用共同的确模拟控制,可以级联起来以得到44.7dB的总衰减,典型的组合线性控制斜率为16dB/V(5V工作).
片上4线SPI控制的10位DAC能用来控制两个衰减器.
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
CISSOID提供的高温芯片和模块技术，已在石油钻探等领域内的长期应用中得到了充分的验证，可以满足业内最苛刻的应用需求。
新型SiC智能功率模块瞄准了航空和其他特殊工业应用，特别针对其中紧凑轻便的功率转换器所要求的自然对流或背板冷却而设计。
CISSOID 独特的耐高温技术平台将大力推动电动汽车动力总成系统的深度整合，以针对电动汽车市场的初期需求。
http://yushuo.51dzw.com深圳市裕硕科技有限公司
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PG-TDSON-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 60 A
Rds On-漏源导通电阻: 9.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.2 V
Qg-栅极电荷: 22 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 69 W
通道模式: Enhancement
商标名: OptiMOS
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
配置: Single
高度: 1.27 mm
长度: 5.9 mm
系列: OptiMOS 5
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 5.15 mm
商标: Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值: 28 S
下降时间: 4 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 5 ns
工厂包装数量: 5000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 17 ns
典型接通延迟时间: 10 ns
零件号别名: BSC098N10NS5 SP001241598
单位重量: 156mm
MAX19794是10MHz-500MHz频率的双路通用模拟可变电压衰减器(VVA),设计用于50欧姆系统,包括专用控制电路,提供22.4dB衰减,典型线性控制斜率为8dB/V.
MAX19794是单片器件,采用该公司的专有的SiGeBiCMOS工艺,工作单5V电压或+3.3V电压.
两个衰减器采用共同的确模拟控制,可以级联起来以得到44.7dB的总衰减,典型的组合线性控制斜率为16dB/V(5V工作).
片上4线SPI控制的10位DAC能用来控制两个衰减器.
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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